PSMN1R4-40YLDX
PSMN1R4-40YLDX参数
| 制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.4 毫欧 @ 25A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 1mA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 238W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | LFPAK56，Power-SO8 |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669 | 漏源电压（Vdss） | 40V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 96nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 6661pF @ 20V |
PSMN1R4-40YLDX手册
PSMN1R4-40YLDX概述
PSMN1R4-40YLDX 产品概述
1. 产品简介
PSMN1R4-40YLDX 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款强大的 N 通道 MOSFET（场效应管），具有高达 100A 的持续漏极电流及 40V 的漏源电压。这款 MOSFET 采用先进的制造工艺，设计用于高效的开关电源和功率管理应用，能够在广泛的工作温度范围内稳定工作，具体在 -55°C 至 175°C 之间。
2. 主要特点
高电流承载能力：在 25°C 的工作环境下，该 MOSFET 可持续承载高达 100A 的电流，适用于需要高电流输出的应用场景。
低导通电阻：在 10V Vgs 的条件下，最大导通电阻（Rds(on)）为 1.4 毫欧（@ 25A）。这使得该器件在高电流状态下的功率损耗大大降低，提升了系统的整体效率。
高功率耗散能力：最大功率耗散可达 238W，确保在高负载情况下仍能可靠运行。
宽阔的栅极驱动电压范围：该设备的栅极驱动电压为 4.5V 至 10V，适用于多种驱动电路设计，提供了极大的设计灵活性。
较高的输入电容与栅极电荷：Ciss 的最大值为 6661pF，Qg 的最大值为 96nC（@ 10V），这意味着该器件在开关操作时具有较小的响应延迟，有利于高速开关应用。
3. 应用场景
PSMN1R4-40YLDX 适合在多种应用中使用，如：
电源管理和转换器：在开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器中，它的高电流能力与低导通电阻特性能够有效降低电源损耗，提高系统的能量转换效率。
电动汽车：在电动汽车的动力系统中，这款 MOSFET 可用于电机驱动、充电管理等关键模块，提供高效率和可靠性。
工业控制：在各类工业自动化控制中，PSMN1R4-40YLDX 可作为开关元器件使用，控制大功率负载，如电磁阀、继电器和伺服驱动。
4. 机械与封装
PSMN1R4-40YLDX 采用 LFPAK56-5 封装，适合表面贴装（SMD）使用，能够有效减少电路板空间的占用，并增强散热性能。此封装设计不仅简化了安装过程，也提高了器件的耐热性与可靠性，使其在大功率应用中表现优异。
5. 温度与环境适应性
该器件能够在极端环境条件下工作，其工作温度范围为 -55°C ~ 175°C，使其适合于恶劣的工业环境和高温应用。此外，PSMN1R4-40YLDX 的栅极漏电流（Vgs）最大值为 ±20V，确保在不同工作条件下的稳定性和安全性。
6. 总结
PSMN1R4-40YLDX 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，凭借其出色的电流承载能力、低导通电阻以及广泛的工作温度范围，成为电源管理、电动汽车和工业控制等多种应用的理想选择。Nexperia 的先进技术和可靠的产品质量，使得该器件在市场中具备较大的竞争优势，能够满足不同客户的设计需求与挑战。对于需要高效率、高可靠性的功率开关解决方案的设计师和工程师而言，PSMN1R4-40YLDX 将是一个值得信赖的选择。