PSMN2R2-30YLC,115
PSMN2R2-30YLC,115参数
| 制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.15 毫欧 @ 25A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.95V @ 1mA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 141W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | LFPAK56，Power-SO8 |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669 | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 55nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3310pF @ 15V |
PSMN2R2-30YLC,115手册
PSMN2R2-30YLC,115概述
产品概述：PSMN2R2-30YLC,115
PSMN2R2-30YLC,115 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款高性能 N 通道 MOSFET，适用于多种电子和电源管理应用。这款器件在设计上注重于高效率和高功率处理能力，使其成为现代电子设备中不可或缺的一部分。
基本参数与性能
该 MOSFET 的额定漏极电流（Id）高达 100A（在 25°C 时），表明其能够处理高电流场合下的需求。这一特性使得 PSMN2R2-30YLC,115 在电机驱动、电源转换和电源管理等应用中表现出色。其漏源电压（Vdss）为 30V，适合低至中等电压的应用场合，满足大部分商用和工业设备的需求。
在功耗方面，该 MOSFET 的最大功率耗散能力为 141W（在结温 Tc 条件下），使其在高负载情况下能够保持稳定。为了确保卓越的能效，器件在不同漏极电流（Id）和栅极驱动电压（Vgs）条件下的导通电阻（Rds(on)）仅为 2.15mΩ（在 25A 和 10V 驱动下）。这意味着在工作过程中，器件所带来的功耗和发热量都相对较少，从而提高系统的整体效率并减少散热设计的复杂性。
开关特性与栅极驱动
PSMN2R2-30YLC,115 的栅极阈值电压（Vgs(th)）的最大值为 1.95V（在 1mA 流量下），表明其在较低的栅极电压下即可导通，适应性强。该器件的驱动电压范围为 4.5V 至 10V，确保能够与各类控制信号（微控制器或其他逻辑电平）兼容。
其栅极电荷（Qg）为 55nC（在 10V 驱动电压下），这一指标对于高频开关应用尤其重要，因为较低的栅极电荷有助于提高开关频率并减少切换损耗。此外，输入电容（Ciss）的最大值为 3310pF（在 15V 下），对高频操作也有很大帮助。
环境适应性
PSMN2R2-30YLC,115的工作温度范围从 -55°C 到 175°C，这使得其在极端环境中的可靠性更高，适用于军用、航空航天、汽车、工业控制等高要求领域。出色的温度耐受性也使得此款MOSFET在多种工业应用中表现可靠。
封装与安装
该产品采用 LFPAK56 封装和 SOT-669 封装，这些表面贴装型结构不仅有助于节省 PCB 空间，还有助于热管理。其紧凑的设计让设备制造商更容易集成到更小型的电路设计中。
应用场景
PSMN2R2-30YLC,115 的广泛应用领域包括但不限于：
- 电源管理：在开关电源、DC-DC 转换器及蓄电池管理系统中，PMSN2R2-30YLC,115 可用于高效开关和调节电源。
- 电机驱动：在电动机控制和驱动电路中表现优越，能够处理高电流负载，适合在各种工业机器人和电动工具中的应用。
- 汽车电子：得益于其高耐温能力，在电池管理系统和电动车控制器中也颇具优势。
- 工业自动化：可用于自动化设备中的高效功率开关与控制。
总结
综上所述，PSMN2R2-30YLC,115 是一款高效、可靠并且适用于多种苛刻环境的 MOSFET。其高电流处理能力、低导通电阻、广泛的工作温度范围，以及对高频开关的友好特性，使其在现代电子设计中成为非常有竞争力的选择。无论是电源管理，还是电机驱动应用，PSMN2R2-30YLC,115 都能为设计工程师提供理想的解决方案。