PSMN2R7-30BL,118
PSMN2R7-30BL,118参数
| 制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3 毫欧 @ 25A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.15V @ 1mA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 170W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D2PAK |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 66nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3954pF @ 15V |
PSMN2R7-30BL,118手册
PSMN2R7-30BL,118概述
产品概述：PSMN2R7-30BL,118 N沟道MOSFET
PSMN2R7-30BL,118 是 Nexperia USA Inc. 制造的一款高性能功率MOSFET，专为高效率、高功率应用而设计。这款MOSFET以其出色的电流承载能力和低导通电阻而著称，适用于各种电源管理、马达驱动和逆变器等应用场景。
主要特性
高电流承载能力
PSMN2R7-30BL 具备 100A 的连续漏极电流能力（在 25°C 时），使其能够满足高负载要求的电路设计。无论是在电池管理系统中还是在工业设备中，这款MOSFET都能够有效处理大电流操作。低导通电阻
在 10V 的栅源电压（Vgs）和 25A 的条件下，最大导通电阻仅为 3 毫欧。这意味着在工作时功耗和热量产生都保持在最小化水平，从而提高系统效率和可靠性。宽工作温度范围
该器件的工作温度范围从 -55°C 到 175°C，充分满足高温和严苛环境下的使用要求，使其在汽车、航空航天等领域的应用中也能稳定运行。强大的功率耗散能力
PSMN2R7-30BL 的最大功率耗散为 170W（在晶体管壳体温度Tc下），允许其在高功率设计中能够有效释放热量，确保器件的稳定性和安全性。多样的封装形式
此 N沟道MOSFET 采用 D2PAK 封装（TO-263-3），是表面贴装型设计，方便在现代电子电路中的安装与集成，适应了自动化组装的需要，并节省了空间。优化的门极驱动特性
在 10V 的栅源电压下，该器件的栅极电荷（Qg）最大值为 66nC，确保其在快速开关条件下的优化表现。同时，最大输入电容（Ciss）为 3954pF，能够有效降低驱动损耗，提高开关速度。高达 30V 的漏源电压
最大漏源电压（Vdss）为 30V，适合用于低至中压的应用场合，广泛应用于 DC-DC 转换器、LED 驱动器及各种逆变器电路。
应用领域
PSMN2R7-30BL,118 的特点使其适合于多种实际应用场合，例如：
- 电源管理：在高效电源转换和管理系统中发挥重要作用，能够处理大电流和低电压的电源。
- 马达驱动：适用于各类电机驱动应用，保持高效率与强劲动力表现。
- 逆变器设计：在可再生能源和储能系统的逆变器设计中，提供稳定的开关操作和高性能。
- 汽车电子：由于其宽的工作温度范围和高功率处理能力，PSMN2R7-30BL 适合车载电源系统及电池管理系统。
结论
PSMN2R7-30BL,118 是一款功能强大、灵活性高的N沟道MOSFET，具有优秀的性能参数和可靠性。它能够满足现代电路设计对高效率和高性能的需求，适合于各类高功率应用。凭借其先进的技术和设计，Nexperia 的这一款MOSFET无疑是电子工程师实现创新设计的重要选择。