PSMN3R0-30YL,115
PSMN3R0-30YL,115参数
| 制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3 毫欧 @ 15A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.15V @ 1mA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 81W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | LFPAK56，Power-SO8 |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669 | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 45.8nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2822pF @ 12V |
PSMN3R0-30YL,115手册
PSMN3R0-30YL,115概述
PSMN3R0-30YL,115 产品概述
PSMN3R0-30YL,115 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款高性能 N 通道 MOSFET，主要用于电源管理、变换器和高效开关电路等应用。这款器件具备出色的电气特性和可靠性，在不同工作条件下均能提供极佳的性能表现。
主要参数
- 制造商: Nexperia USA Inc.
- 零件状态: 有源
- FET 类型: N 通道
- 技术: MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）
- 封装类型: LFPAK56-5
- 工作温度范围: -55°C ~ 175°C
- 漏源电压（Vdss）: 30V
- 电流 - 连续漏极 (Id): 100A（在 Tc 条件下）
- 功率耗散（最大值）: 81W（在 Tc 条件下）
导通电阻与阈值电压
在特定的操作条件下，PSMN3R0-30YL,115 显示出极低的导通电阻，这使得此型号在进行高电流应用时能够有效减少功耗。其最大导通电阻为 3 毫欧（在 10V、15A 时），能够确保最小的能量损耗和发热。该产品的栅极阈值电压 Vgs(th) 最大值为 2.15V（在 1mA 测试条件下），适用于低电压驱动要求的场合。
驱动电压及电荷特性
PSMN3R0-30YL,115 具有两个不同的驱动电压选择：4.5V 和 10V，用户可以根据电路需求选择合适的工作电压。此外，该器件的不同 Vgs 时栅极电荷 Qg（在 10V 时最大值为 45.8nC）有助于降低开关损耗，提高在高频应用中的效率，特别是在开关频率较高的场合。
电容特性与散热性能
PSMN3R0-30YL,115 的输入电容 Ciss 在 12V 条件下测试为 2822pF，提供良好的驱动特性。在实际应用中，考虑到功耗和热管理，此型号的最大功耗为 81W，具备强大的散热能力，可以在较高频率和大电流下可靠工作。其工作温度范围为-55°C至175°C，确保在严苛环境下的稳定性能。
应用领域
得益于其卓越的电气特性，PSMN3R0-30YL,115 被广泛应用于：
- DC-DC 转换器
- 直流电动机控制
- 电源管理模块
- 光伏逆变器
- 便携式设备及其他高效能电源应用
封装与安装
PSMN3R0-30YL,115 采用 LFPAK56-5、SOT-669 封装，设计上十分适合表面贴装，能够轻松应对高密度 PCB 应用，同时降低了安装空间和成本。此封装结构还具有良好的散热性能，提升了器件的工作稳定性。
综述
总的来说，PSMN3R0-30YL,115 是一款工程师在设计电源管理和开关应用时非常青睐的 N 通道 MOSFET。其低导通电阻、高电流能力、广泛的工作温度范围及优良的开关性能使其成为针对高效能要求应用的理想选择。Nexperia 凭借其在半导体行业的深厚技术积累，确保了该产品的高可靠性和稳定性，为最终产品的性能提升提供了有力支持。