PSMN3R0-30YLDX

产品概述：PSMN3R0-30YLDX

制造商与背景

PSMN3R0-30YLDX 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款高性能 N 通道 MOSFET（场效应管）。Nexperia 是全球知名的半导体制造商，以其优质且可靠的产品而广受欢迎。其 MOSFET 产品广泛应用于电源管理、汽车电子、工业控制和消费电子等多个领域。

基本规格

PSMN3R0-30YLDX 的封装类型为 LFPAK56-5，这种表面贴装型封装工艺能够满足高功率密度和高散热需求的应用，是现代电子设计中非常受欢迎的选择。其工作温度范围广泛，从－55°C 至 175°C，适应各种极端环境条件，确保长久的可靠性。

电流与电压特性

PSMN3R0-30YLDX 的最大连续漏电流（Id）可达到 100A（在芯片温度 Tc= 25°C 时），体现了其强大的承载能力。这使得本产品非常适合高电流应用，比如电源转换器和电机驱动系统。

该 MOSFET 的漏源电压（Vdss）为 30V，提供了一定的电压容忍度，适合用于低压供电和电源管理应用。同时，最大可耐受的门源电压（Vgs）为 ±20V，这意味着在电路设计中，MOSFET 能够承受一定的安全余量，避免因过压而导致的损坏。

导通电阻与驱动电压

PSMN3R0-30YLDX 在 10V 的栅极驱动电压下，具有最大导通电阻 Rds(on) 仅为 3.1 毫欧（在 25A 的条件下），保证了在开关状态下低功耗和高效率。该特性对于减小电源损耗和提高系统效率至关重要，特别是在高频开关应用中。

产品的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为 2.2V，在 1mA 流量下测得。这一较低的门极阈值电压意味着 MOSFET 可以在较低的驱动电压下被完全导通，进一步提升了驱动电路的灵活性和功率利用效率。

功率耗散与热管理

MOSFET 的最大功率耗散为 91W（在 Tc 下），这一参数确保在连续工作时，器件能够有效管理其产生的热量。在高功率应用中，热管理尤为重要，适当的冷却措施以及合理的PCB设计可确保设备在安全功率范围内高效运行。

电容与栅极电荷

PSMN3R0-30YLDX 的输入电容（Ciss）最大值为 2939pF（在 15V 下），而栅极电荷（Qg）最大值为 46.4nC（在 10V 下）。这些参数对于高频应用中开关速度和驱动能力至关重要。较低的栅极电荷和适中的输入电容能够确保该 MOSFET 在快速开关场合中表现出色。

结论

综上所述，PSMN3R0-30YLDX 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，具备出色的电流承载能力、低导通电阻和宽广的工作温度范围，适合于广泛的应用，包括高效电源管理、功率放大器、电机驱动和其他要求高可靠性的领域。其设计针对现代电子设备的需要，确保了在各种工作条件下都能提供优秀的性能。选择 PSMN3R0-30YLDX，将为电子设计带来高效、稳定与可靠的解决方案。