PSMN3R3-40MLHX
PSMN3R3-40MLHX参数
| 制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 118A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.3 毫欧 @ 25A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.15V @ 1mA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 101W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | LFPAK33 |
| 封装/外壳 | SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线） | 漏源电压（Vdss） | 40V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 54nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3794pF @ 20V |
PSMN3R3-40MLHX手册
PSMN3R3-40MLHX概述
PSMN3R3-40MLHX 产品概述
基础信息
PSMN3R3-40MLHX 是一款由 Nexperia USA Inc. 生产的高性能 N 通道 MOSFET，专为高效电力管理和开关应用而设计。其采用 SOT-1210 封装，具有优良的热性能和较小的封装尺寸，适合于各种表面贴装需求。
主要规格
- 制造商: Nexperia USA Inc.
- 元件类型: N通道 MOSFET
- 封装: SOT-1210（8-LFPAK33，5 根引线）
- 额定电流: 118A（Ta=25°C）
- 漏源电压 (Vdss): 40V
- 功率耗散: 最大 101W（Ta=25°C）
- 工作温度范围: -55°C ~ 175°C（TJ）
- 导通电阻 (Rds On): 3.3 mΩ @ 25A, 10V
- 栅极源电压 (Vgs): ±20V
- 最大栅极电荷 (Qg): 54nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss): 3794pF @ 20V
- 温度时电流: 在高达 175°C 的工作温度下可靠运行。
关键优势和应用
PSMN3R3-40MLHX MOSFET 的设计强调了高效率和高功率处理能力，非常适合于以下应用场景：
电源转换：由于其低导通电阻(3.3 mΩ)，在电源转换模块中表现出色，能够最大程度减少能量损耗，提高系统效率。
电机驱动：在电机控制应用中，能够处理高电流（118A），为各种电机驱动方案提供了可靠选择。
开关电源：其耐高温和高功率耗散的能力，使得 PSMN3R3-40MLHX 成为开关电源及相关产品的理想选择，提升产品稳定性。
高温环境：宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C）使其在苛刻环境中也能可靠工作，适用于航空航天、汽车和工业控制等领域。
性能分析
PSMN3R3-40MLHX 采用先进的 MOSFET 技术，具备优越的电流传导能力及热性能。其最大栅极电压 Vgs 为±20V，确保设备在操作时的稳定性和安全性。同时，Vgs(th) 仅为 2.15V，这意味着它在较低的栅极电压下便可导通，从而降低了控制电路中的功耗。
根据测试数据，PSMN3R3-40MLHX 对于电流与电压的变化表现出较好的稳定性。最大 Rds On 值为 3.3 mΩ，这在高电流应用中显著降低了传导损耗，这就是为何它在诸多高性能电源管理方案中被广泛选用的原因。
封装与安装
PSMN3R3-40MLHX 的 LFPAK33 封装为表面贴装，具有较小的尺寸和便于操作的特性，适合现代紧凑型电子设备的需求。这个封装设计有效地提高了热传导性能，有助于在高功率应用中维持合理的工作温度。此外，卷带（TR）的包装形式使得在组装过程中更加简单高效，方便自动化生产线使用。
总结
PSMN3R3-40MLHX 是一款高效、可靠的 N 通道 MOSFET，凭借其优越的电性能和宽广的工作环境适应性，适合用于电源管理、电机驱动和高温工业应用等多个领域。其创新的技术表现和工程优势，很好地满足了当今电子设备不断提升的性能要求，为设计工程师提供了强有力的支持。