PSMN4R4-30MLC,115
PSMN4R4-30MLC,115参数
| 制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 70A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.65 毫欧 @ 25A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.15V @ 1mA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 69W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | LFPAK33 |
| 封装/外壳 | SOT-1210，8-LFPAK33 | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 23nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1515pF @ 15V |
PSMN4R4-30MLC,115手册
PSMN4R4-30MLC,115概述
PSMN4R4-30MLC,115 产品概述
基本信息
PSMN4R4-30MLC,115 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款高性能 N沟道 MOSFET（场效应管），设计用于高电流和高效能的应用场景。该器件采用 LFPAK33 表面贴装封装，方便在高密度电路板上进行安装。其具有宽广的工作温度范围、低导通电阻及较高的功率处理能力，适用于电源管理、电动机驱动和数据中心等各种应用场合。
技术规格
- 制造商: Nexperia USA Inc.
- 封装类型: LFPAK33，符合 SOT-1210 标准。
- FET 类型: N 通道 MOSFET。
- 最大漏极电流（Id）: 70A（在 25°C 时）。
- 漏源电压（Vdss）: 30V。
- 功率耗散（最大值）: 69W（在 Tc 环境下）。
- 导通电阻（Rds(on)）: 在 Vgs = 10V 时，为 4.65 毫欧（最大值，25A）。
- 栅极驱动电压（Vgs）: 最大 ±20V，确保安全操作和稳定性。
性能特征
PSMN4R4-30MLC 的一个显著特点是其卓越的导通电阻表现，在 10V 驱动下，4.65 毫欧的导通电阻使得该器件在高电流应用（如电动机驱动）中表现出色，降低了功率损耗，从而提高了能效。这种低导通电阻不仅减小了热量产生，还提升了整体系统的可靠性。
此外，该器件在 1mA 的测试条件下，栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为 2.15V。这一值的合理设计确保了在低栅电压下，MOSFET 就能启动，适合应用于低电压控制场合。
工作温度范围
该 MOSFET 的工作温度范围从 -55°C 到 175°C，使其在极端环境下具备良好的稳定性和可靠性，能够满足军用、航空以及工业应用的严格要求。在实际使用中，可确保器件在高温环境下的性能不会受到影响，减少因过热而导致的故障风险。
应用场景
PSMN4R4-30MLC 被广泛应用于多个领域，包括但不限于：
电源管理: 由于其高电流和低导通电阻特性，它可以用于开关电源、DC-DC 转换器以及电池管理系统等领域。
电动机驱动: 在电动机控制方向和速度的应用中，需要高效且可靠的开关元件，以减少功耗并提高电动机的性能。
电气汽车: 适合于电气汽车和混合动力汽车的相关高压应用，有助于提高能效和延长电池寿命。
数据中心: 在高效的电源管理和DC-DC转换过程中，该 MOSFET 可以有效地提升系统性能，减少能量的损失。
总结
PSMN4R4-30MLC,115 是一款设计先进、性能卓越的 N 通道 MOSFET。其在低导通电阻、高功率处理能力以及广泛的工作温度范围等方面的优势使其成为高电流应用的理想选择。凭借 Nexperia 的优质制造工艺，此器件将在现代电子应用中提供可靠支持，满足当今市场对高效能元件的需求。无论是用于电源管理、电动机驱动还是在严苛环境下运行，PSMN4R4-30MLC 都以其卓越的性能特点在竞争中脱颖而出。