制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 120A(Tj) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 4.8 毫欧 @ 25A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA | Vgs(最大值) | ±20V |
功率耗散(最大值) | 405W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D2PAK |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB | 漏源电压(Vdss) | 100V |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 278nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 14400pF @ 50V |
PSMN4R8-100BSEJ 是由 Nexperia USA Inc. 研发和制造的一款高性能的 N 通道 MOSFET。这款器件在电力电子和功率管理应用中具有广泛的应用潜力,尤其是在需要高电流和高压处理的场合。其优异的设计和技术特点使其在多个工业领域找到应用,包括电机驱动、开关电源、逆变器和其他功率转换电路。
PSMN4R8-100BSEJ 的设计旨在提供卓越的导通性能和散热能力,其低导通电阻使其在高电流应用中能有效减少热量生成,从而提升系统的效率和可靠性。该器件可以在高达 100V 的漏源电压下稳定工作,适应了多种电源和驱动系统的需求。由于其高达 120A 的连续漏极电流能力,使得该器件在很多高负载应用中具备良好的表现。
PSMN4R8-100BSEJ 的工作温度范围为 -55°C 到 175°C,表明其非常适合在极端温度条件下操作。这一特性使其在航空航天、汽车电子以及工业设备等高要求环境中的应用尤为突出。器件的高工作温度能力确保即使在严苛的环境下,依然能保持出色的性能和长久的使用寿命。
PSMN4R8-100BSEJ 广泛应用于以下领域:
随着现代电子设备向高效能和高集成度发展,PSMN4R8-100BSEJ 作为一款高性能 MOSFET,凭借其强大的电流容量、低导通电阻、宽温度范围和高功率处理能力,能够满足日益增长的电力电子需求。其稳定性和效率无疑将增强设备整体的性能,使其在市场上的竞争力大大提升。
PSMN4R8-100BSEJ 是一款设计精良、性能卓越的 N 通道 MOSFET,适合用于各种要求高电流和高电压的电力电子应用。无论是在工业、汽车还是新能源领域,它都展示了极为出色的应用潜力和市场价值。在寻求高效能和高可靠性解决方案的情况下,该产品无疑是一个值得信赖的选择。