制造商 | Nexperia USA Inc. | 系列 | TrenchMOS™ |
包装 | 卷带(TR) | 零件状态 | 有源 |
FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 50A(Ta) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 6.7 毫欧 @ 20A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.15V @ 1mA |
Vgs(最大值) | ±20V | 功率耗散(最大值) | 65W(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | LFPAK33 | 封装/外壳 | SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线) |
漏源电压(Vdss) | 40V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 31nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 2071pF @ 20V |
PSMN6R7-40MLDX是Nexperia USA Inc.推出的一款高性能N通道MOSFET,属于其TrenchMOS™系列。该产品以其出色的电气性能和广泛的工作温度范围而著称,适用于各种高效能电子应用,包括电源管理、DC-DC转换器和马达驱动等。
高电流承载能力:PSMN6R7-40MLDX在25°C的环境温度下能够承载高达50A的连续漏极电流(Id)。这一特性使得它能够在高负载工作条件下稳定运行,适合于电流要求较高的应用。
低导通电阻:在10V的栅源电压(Vgs)和20A的漏极电流下,该MOSFET的最大导通电阻仅为6.7毫欧。这一低值使得器件在导通时能够极大地减少功耗,提高整体能效,适用于要求高效率的电力电子设备。
宽工作温度范围:该器件的工作温度范围为-55°C至175°C,能够在极端环境下稳定工作,适合航空、汽车和工业等严苛应用场景。
较高的功率耗散能力:PSMN6R7-40MLDX拥有65W的最大功率耗散能力,综合考虑到低导通电阻和高电流承载能力,使其在高功率应用中表现出色。
优化的栅极电荷:该器件在10V的条件下,栅极电荷(Qg)最大为31nC。这一特性有助于降低驱动电路的功耗,提高开关速度,从而有效提升系统的响应时间和效率。
这些电气参数表明该MOSFET具有良好的开关性能和出色的稳态特性,使其在实际电路中具备极高的使用灵活性。
PSMN6R7-40MLDX采用SOT-1210封装,属于LFPAK33系列。这种表面贴装(SMD)类型的设计不仅适合现代高密度电路板的布局,也便于自动化生产,提高了组装效率和可靠性。
由于其高电流承载能力和低导通电阻,PSMN6R7-40MLDX被广泛应用于:
作为Nexperia的一款优质N通道MOSFET,PSMN6R7-40MLDX凭借其卓越的性能参数与广泛的应用适应性,成为了现代电子设计中不可或缺的重要元件。无论是在高功率应用还是严苛环境下,它都能够为设计师提供安全可靠、高效率的解决方案。通过正确应用该器件,设计师可以确保产品在高负载和高效能方面的最佳表现,为最终用户带来更好的体验。