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PSMN8R3-40YS,115
品牌 :
Nexperia(安世)
封装 :
LFPAK56-5
包装 :
编带
重量 :
1g
描述 :
场效应管(MOSFET) 74W 40V 70A 1个N沟道 SOT-669
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
4.51按整 :
圆盘(1圆盘有1500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥4.51
--
100+
￥3.76
--
750+
￥3.41
--
22500+
产品参数
产品手册
产品概述
PSMN8R3-40YS,115参数
| 制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 70A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 8.6 毫欧 @ 15A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 74W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | LFPAK56，Power-SO8 |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669 | 漏源电压（Vdss） | 40V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 20nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1215pF @ 20V |
PSMN8R3-40YS,115手册
无数据
PSMN8R3-40YS,115概述
产品概述：PSMN8R3-40YS,115
基本信息
PSMN8R3-40YS,115 是由 Nexperia USA Inc. 制造的一款高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管 (MOSFET)，采用先进的表面贴装技术（SMD）设计，适用于各种电子应用领域。该元件具有卓越的电流承载能力和热性能，为现代高效电源和电机控制等应用提供了可靠的解决方案。
关键规格
- 连续漏极电流 (Id): 70A（在 Tc 条件下），表明其在高负载条件下的可靠性能。
- 漏源电压 (Vdss): 最高可达 40V，适合低至中压应用，常见于电源管理和驱动电路。
- 门源电压 (Vgs): 最大可承受 ±20V，适合各种驱动条件。
- 导通电阻 (Rds(on)): 在 15A 和 10V 驱动下，导通电阻最大为 8.6 毫欧。这种低导通电阻特性极大地降低了功率损耗，提升了整体效率。
- 功率耗散: 最大值为 74W，确保在高功率应用中的稳定性。
- 工作温度范围: 从 -55°C 到 175°C，适合高温和恶劣环境下的应用需求。
- 栅极电荷 (Qg): 最大值为 20nC @ 10V，适合高开关频率的应用，确保快速开关响应。
- 输入电容 (Ciss): 最大值为 1215pF @ 20V，提供良好的输入特性。
封装与安装
PSMN8R3-40YS,115 采用 LFPAK56 封装，设计紧凑且适应现代紧凑型电路板布局。这种封装方式有助于提供卓越的热管理能力，适应高密度电路的需求。封装类型为表面贴装型 (SMD)，可通过自动化设备进行高效贴装，减少人工铺装时间，提升生产效率。
应用领域
PSMN8R3-40YS,115 MOSFET 具有广泛的应用潜力，适合于例如：
- 电源管理系统: 其高电流和低导通电阻特性使其成为高效开关电源设计的重要组成部分。
- DC-DC 转换器: 能够在高效率和低温升的条件下进行能量转换，非常适合用于电池供电设备。
- 电机驱动: 由于其高耐压和高电流能力，本型号适合在各种电机驱动电路中使用。
- LED 驱动: 在需要高效率的 LED 驱动应用中，以降低能耗和延长设备使用寿命。
- 电气汽车 (EV): 随着 EV 市场的快速增长，PSMN8R3-40YS,115 的高性能特点令其在电动汽车的驱动系统中展现出强大的应用潜力。
总结
PSMN8R3-40YS,115 是一款体现了高效能和高可靠性的 N 通道 MOSFET，兼具出色的电气性能和广泛的应用领域。无论是在高频开关，还是在大电流条件下使用，这款产品都能提供卓越的解决方案。通过 Nexperia 的质量保障，该元件将成为您设计中值得信赖的选择，助力您的产品在竞争中脱颖而出。