PSMN9R8-30MLC,115
PSMN9R8-30MLC,115参数
| 制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 50A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 9.8 毫欧 @ 15A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.95V @ 1mA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 45W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | LFPAK33 |
| 封装/外壳 | SOT-1210，8-LFPAK33 | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 10.9nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 690pF @ 15V |
PSMN9R8-30MLC,115手册
PSMN9R8-30MLC,115概述
PSMN9R8-30MLC,115 产品概述
一、产品简介
PSMN9R8-30MLC,115 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款高性能 N 通道金属氧化物场效应管（MOSFET），采用 LFPAK33 表面贴装型封装。该器件的设计和制造考虑到了广泛的应用场合，尤其是在需要高效能和高可靠性的电源管理和开关电路中。
二、主要特性
导通电阻： PSMN9R8-30MLC在不同工作条件下表现出极低的导通电阻。在 10V 的驱动电压下，持续漏极电流为 15A 时的最大导通电阻为 9.8 毫欧，这使得该器件在低功耗应用中表现出色，能够有效降低功耗和热损耗。
高漏极电流能力： 该MOSFET在 25°C 时可持续承载高达 50A 的漏极电流，适用于对电流需求较高的应用场合，如电源转换、有源开关和电机控制等。
宽工作温度范围： PSMN9R8-30MLC 的工作温度从 -55°C 到 175°C，表明其能在极端环境条件下可靠运行，适合航空航天、汽车电子及工业控制等要求严苛的应用。
电压规格： 本器件的漏源电压（Vdss）高达 30V，具备较强的电压耐受能力，使其适用于中压开关电路。
栅驱动电压： PSMN9R8-30MLC 有着灵活的驱动电压要求，在 4.5V 和 10V 下均能实现最佳的导通效能，这使得其在不同电路设计中得到广泛应用。
高功率耗散： 它的最大功率耗散能力为 45W，适合动态负载和耐高功率应用，能够有效扩展其使用的场景。
低输入电容和栅极电荷： 对于高频应用，PSMN9R8-30MLC 的输入电容 (Ciss) 最大值为 690pF（在15V下），栅极电荷 (Qg) 最大值为 10.9nC（在10V下），这提供了快速开关能力，降低了开关损耗，并提高了整体系统的效率。
三、封装与安装
PSMN9R8-30MLC 采用 LFPAK33-8 封装形式，这种表面贴装型封装提供了较好的散热性能和较小的尺寸，便于在高密度电路中进行布置。其适用的卷带包装（TR）方式也简化了生产和搬运过程。
四、应用领域
PSMN9R8-30MLC 在多个领域均可找到其身影，主要包括但不限于：
- 电源管理：用于 DC-DC 转换器、充电器及电源开关等应用，提高系统效率。
- 汽车电子：适用于车载电源管理、马达驱动及其他内置电子部件，满足汽车标准的可靠性。
- 工业控制：在电机驱动和机器人技术中，需要高可靠性和高效能的 MOSFET。
- 消费电子：例如笔记本电脑、平板及其他便携设备中的电源开关。
五、总结
PSMN9R8-30MLC,115 是一款具有优异性能和灵活应用范围的 N 通道 MOSFET。现代电子设备对高效率、高性能组件的需求日益增加，而 Nexperia 的这款产品恰好满足了这一需求。无论是在高频、高温还是高电流的严苛环境中，PSMN9R8-30MLC 都能提供超凡的表现，成为设计师和工程师理想的选择。