PSMNR51-25YLHX
PSMNR51-25YLHX参数
| 制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 380A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 610 毫欧 @ 25A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 2mA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 333W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | LFPAK56，Power-SO8 |
| 封装/外壳 | SOT-1023，4-LFPAK | 漏源电压（Vdss） | 25V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 113nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 6990pF @ 12V |
PSMNR51-25YLHX手册
PSMNR51-25YLHX概述
PSMNR51-25YLHX 产品概述
一、产品背景与概述
PSMNR51-25YLHX 是一款由 Nexperia USA Inc. 设计与制造的高性能 N 通道 MOSFET（场效应管），封装类型为 LFPAK56，适用于各种高电流和高效率的电子应用。这款 MOSFET 具有出色的电流承载能力和散热性能，能够在苛刻的工作环境中发挥稳定的性能，广泛应用于电源管理、驱动电路、开关电源、马达控制等领域。
二、基本电气参数
漏源电压（Vdss）：PSMNR51-25YLHX 的最大漏源电压为 25V，这意味着它能够安全操作在这一电压范围内，没有损坏风险。
连续漏极电流（Id）：该MOSFET在 25°C 时可持续承载高达 380A 的电流，在散热良好的情况下，能够支持更高的瞬态电流，适合高功率应用。
导通电阻（Rds(on)）：在 10V 的栅极驱动电压下，PSMNR51-25YLHX 的最大导通电阻为 610 毫欧，表明在开启状态下其电力损耗低，能有效降低发热并提升整体能效。
栅极阈值电压（Vgs(th)）：这一器件的栅极阈值电压最大为 2.2V @ 2mA，能够在较低的驱动电压下实现快速开关，适用于低电压驱动电路。
三、驱动和开关特性
PSMNR51-25YLHX 的最大栅极驱动电压为 ±20V，使其在实际应用中相对灵活，能够兼容多种驱动电压要求。此外，该器件的输入电容 (Ciss) 高达 6990pF @ 12V，这个特性允许其在高频应用中快速开关，降低了开关损失。
与此同时，栅极电荷 (Qg) 最大值为 113nC @ 10V，表明其在开关过程中需要的驱动功率相对较低。这一特性使得该 MOSFET 在逆变器、DC-DC 转换器等需要频繁开关的场合十分理想。
四、散热与功耗
PSMNR51-25YLHX 的最大功耗为 333W（Ta），其能在广泛的工作温度范围内运行（-55°C ~ 175°C）使得该器件对于严苛环境具有极强的适应性。LFPAK 封装设计具有优秀的热性能，有助于降低在高负载下的热量积聚，进一步提升元件的可靠性和安全性。
五、应用场景
PSMNR51-25YLHX 特别适合以下应用场景：
开关电源：用于高效率电源管理，能够在高频开关模式下工作。
电机驱动：可以作为电机控制器的驱动元件，提供高电流输出，确保电机快速启动和停止。
直流-直流转换器：在各种电源转换器中使用，支持电压和电流的高效转换。
LED 驱动：能在LED驱动电路中提供稳定的电流，延长LED 的工作寿命。
新能源接口：如太阳能逆变器及电动车充电器等，需要高功率和高能效的场合。
六、总结
PSMNR51-25YLHX 是一款高效、高功率处理能力的 N 通道 MOSFET，适用于各种严苛环境和高负载应用。其独特的电气特性和卓越的热管理能力使得其在电源管理、电机控制等领域具有广泛的应用前景。对于希望提升电路性能并降低功耗的设计工程师而言，这款 MOSFET 绝对是值得考虑的优质选择。