PUMB9,115 产品实物图片
PUMB9,115 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

PUMB9,115

商品编码: BM0118555187
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
6-TSSOP
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
数字晶体管 300mW 50V 100mA 2个PNP-预偏置 SOT-363
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.344
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.344
--
150+
¥0.245
--
1500+
¥0.208
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

PUMB9,115参数

晶体管类型2 个 PNP 预偏压式(双)电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V电阻器 - 基极 (R1)10 千欧
电阻器 - 发射极 (R2)47 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 5mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)100mV @ 250µA,5mA电流 - 集电极截止(最大值)1µA
功率 - 最大值300mW安装类型表面贴装型
封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363供应商器件封装6-TSSOP

PUMB9,115手册

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PUMB9,115概述

产品概述:PUMB9,115 数字晶体管

引言 在现代电子设计中,晶体管的使用起着至关重要的作用。特别是在需要高效率和小型化的应用场合,选择合适的晶体管就显得尤为重要。Nexperia(安世)推出的PUMB9,115数字晶体管,凭借其卓越的性能参数和紧凑的封装设计,成为电子工程师和设计师的理想选择。

基本参数 PUMB9,115是一款集成了两个PNP型预偏置晶体管的元器件,共享相同的基极。它的主要电气参数包括:

  • 电流 - 集电极 (Ic): 最大值为100 mA,能够处理中等规模的电流需求,从而适应多种应用。
  • 电压 - 集射极击穿 (Vce(max)): 最大值为50V,有效支持多种电源电压条件,能够保证设备的安全稳定运行。
  • 功率 - 最大值: 整体功率处理能力为300 mW,适合低功耗应用,确保在高效的同时减少热量产生。

增益与饱和压降 在设计电路时,电流增益和饱和状态电压是评价晶体管的重要指标。PUMB9,115在不同的Ic和Vce条件下提供的DC电流增益(hFE)最小为100(@5mA, 5V),这一高增益指标使得它在开关功能和放大能力上表现优异。同时,在特定的Ib、Ic条件下,其Vce的饱和压降最大为100mV(@250µA, 5mA),这确保了器件在开关状态时低功耗,提升了其整体效率。

可靠性与功耗 PUMB9,115在开关截止状态下,其集电极电流最大仅为1µA。这一极低的截止电流参数意味着在非工作状态下,该元件将有效减少功耗,适合长时间运行于低功耗模式的设备。

电阻器设置 PUMB9,115的基极电阻(R1)为10 kΩ,发射极电阻(R2)为47 kΩ。这些设置使得其基极电流的控制更加精确,提升了电路的稳定性和灵活性。

封装与安装 该元件采用6-TSSOP封装,这种紧凑型表面贴装设计不仅节省了板上空间,而且还提高了生产效率。在许多空间受限的应用领域(如智能手机、可穿戴设备和家电)中,这种小型化的设计尤为重要。

应用场景 PUMB9,115由于其出色的电气特性和紧凑的设计,非常适用于多种电子产品和项目,包括:

  1. 消费者电子: 例如手机、平板电脑和家用电器等,需要高效能和小型化解决方案的产品。
  2. 工业自动化: 在控制系统和传感器网络中,通过其高电流增益及低开关功耗,实现高效可靠的开关控制。
  3. 汽车电子: 在汽车电子系统中,可以广泛应用于传感器和执行器的驱动。
  4. 电源管理: 广泛用于各类低功耗电源控制电路,提供高效的开关控制。

总结 总的来说,PUMB9,115数字晶体管以其优异的电性能、低功耗和紧凑的封装设计,适应了当今电子设备对高效能和小型化的需求。无论是在消费者电子、工业应用还是汽车电子中,PUMB9,115都能提供可靠的性能支持,助力工程师实现各种创新设计。Nexperia(安世)作为该产品的生产商,致力于为全球客户提供优质的电子元器件解决方案,确保其产品在竞争激烈的市场中始终拥有优势。