晶体管类型 | 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 47 千欧,2.2 千欧 |
电阻器 - 发射极 (R2) | 47 千欧 | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 80 @ 5mA,5V / 100 @ 10mA,5V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 150mV @ 500µA,10mA / 100mV @ 250µA,5mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 1µA |
功率 - 最大值 | 300mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
PUMD48,115 是一款由 Nexperia(安世半导体)推出的数字晶体管,具有优异的性能和广泛的应用范围。该产品结合了一个 NPN 晶体管和一个 PNP 晶体管,形成了一种预偏置式的双晶体管结构,适合在各种电子设备中用作开关和放大器。PUMD48,115 采用了表面贴装的 6-TSSOP 封装,具有紧凑的体积和方便的安装特性,能够有效节省电路板空间,满足现代电子产品对小型化和集成化的要求。
晶体管类型:
电流和电压:
电流增益(hFE):
饱和压降:
集电极截止电流:
功率:
电阻器:
安装类型:
封装/外壳:
PUMD48,115 数字晶体管的设计旨在兼顾性能与可靠性。由于其具备较高的电流增益,能够在较小的输入信号下实现高效的信号放大,尤其适用于低功耗的数字电路和信号调理应用。同时,其低饱和压降特性使得开关动作时的功耗更低,适合于高效能的电源管理和开关电路。
在绝缘性能和电流截止特性方面,PUMD48,115 的集电极截止电流低至 1 µA,确保了在待机模式下的低功耗表现,极大地延长了设备的使用寿命,特别适合于电池供电的便携式设备。
PUMD48,115 广泛应用于各种电子设备和系统中,包括但不限于:
此外,由于其小巧的 6-TSSOP 封装,PUMD48,115 可以轻松集成到小型电路板中,适应多种应用需求。
选择 PUMD48,115 数字晶体管的客户可以享受到以下优势:
PUMD48,115 是一款多功能、高性能的数字晶体管,凭借其出色的电气特性和紧凑的封装,成为许多现代电子应用的理想选择。无论是用于信号处理、开关控制,还是在各种电子设备中,PUMD48,115 都能够提供优异的解决方案,推动电子技术的进一步发展和创新。