PUMH18,115
PUMH18,115参数
| 制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电阻器 - 基极 (R1) | 4.7 千欧 | 电阻器 - 发射极 (R2) | 10 千欧 |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 50 @ 10mA，5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 100mV @ 500µA，10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 1µA | 功率 - 最大值 | 300mW |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
PUMH18,115手册
PUMH18,115概述
PUMH18,115 产品概述
一、产品简介
PUMH18,115 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款高性能双 NPN 预偏置数字晶体管。其设计目标是满足在多种电子应用中对高效能、低功耗和紧凑尺寸的需求。该器件采用表面贴装型 (SMD) 封装，采用 6-TSSOP 封装形式，适用于自动化生产线和大规模生产，因其小巧的体积可以方便地集成到各种电路中。
二、核心参数
- 制造商: Nexperia USA Inc.
- 零件状态: 有源
- 封装类型: SOT-363
- 电流 - 集电极（Ic）最大值: 100 mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）: 50 V
- 功率最大值: 300 mW
PUMH18,115 通过其 NPN 晶体管设计提供了出色的电流放大能力，同时保持低饱和压降和低截止电流。这一特性使得它非常适合用于开关和放大器电路。
三、功能特性
PUMH18,115 的关键功能特性使其适用于多种应用场景。
预偏置设计: 预偏置的设计确保了晶体管在开关状态下的快速响应能力，这对提高电路的整体性能至关重要。基极的电阻 R1 采用 4.7 kΩ ，发射极的电阻 R2 采用 10 kΩ 的设计，保证了稳定的工作状态和良好的信号放大能力。
电流增益: 在不同的集电极电流 (Ic) 和基极电流 (Ib) 下，DC 电流增益 (hFE) 最小值为 50，适合低功耗设计的应用场合。在 10 mA 的集电极电流和 5 V 的集电极-发射极电压下，能够有效增强信号。
低饱和压降: 在典型应用中，当 Ib 为 500 µA，Ic 为 10 mA 时，饱和压降最大值仅为 100 mV。这一特性使得功耗显著降低，有助于延长电池设备的使用寿命，并提高整体设备的能效。
集电极截止电流: 该组件的集电极截止电流最大值仅为 1 µA，确保在待机或关闭状态下的极低功耗。
四、应用领域
PUMH18,115 的广泛应用使其成为现代电子设备中不可或缺的组成部分。其主要的应用领域包括：
- 消费电子: 例如电视、音响、计算机和手机等设备中的信号开关和放大电路。
- 工业设备: 在自动化设备中，该晶体管可用作开关元件，来控制电机、传感器和其他外围设备。
- 汽车电子: 在汽车中，该器件可以用于照明控制、传感器接口及其他控制电路。
- 电池供电设备: 由于其低功耗特性，PUMH18,115 非常适合移动电源或便携式电子设备。
五、总结
总体而言，PUMH18,115 是一款小巧而高效的预偏置 NPN 双晶体管，具备出色的电流增益、低饱和压降和极低的截止电流。这些特性使其非常适用于多种电子产品的设计与集成。无论是在消费电子、工业自动化还是汽车电子领域，该器件都展现出了良好的性能和广泛的适用性。借助 Nexperia 的创新技术，PUMH18,115 为设计工程师提供了一个理想的解决方案，以满足日益严格的电气和功耗要求。