功率(Pd) | 1.5W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 3pF |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 580mΩ@10V,2A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 12nC@100V |
漏源电压(Vdss) | 200V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 580pF@25V | 连续漏极电流(Id) | 2A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
NCE0202M是一款专为低功耗应用设计的N沟道场效应管(MOSFET),其主要特点涵盖高压(200V)和高电流(2A)处理能力,适用于多种电子电路,包括开关电源、马达驱动和电池管理等应用。NCE0202M的封装采用SOT-89-3,适合密集布局需求的电路板设计。
NCE0202M的特性使其非常适用于以下几种应用场景:
NCE0202M的一大优势在于它的高开关频率和低导通电阻,这使得其在高频操作下的功耗降至最低,提供优越的能效比。同时,其高电流承载能力使得在需要较大功率的应用中都能进行有效、稳定的操作。
在使用NCE0202M时,设计师应确保满足其额定电压和电流限制,并在高负载条件下采用相应的散热措施,以避免过热损伤。此外,还需关注其驱动电压,以确保达到最佳的开关效率。
NCE0202M凭借其优良的技术指标和多样的应用场景,成为电子设计专业人士在选择N沟道MOSFET时的优先选择之一。强大的电压和电流承载能力,加之极高的开关效率,使得该器件在现代电子设备中扮演着越来越重要的角色。通过合理的电路设计和热管理,NCE0202M能够为各种电子产品提供可靠的性能和效率。