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PXN4R7-30QLJ
品牌 :
Nexperia(安世)
封装 :
8-PowerVDFN
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 42W；1.8W 30V 15A；74A 1个N沟道 MLPAK(3.3x3.3)
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
2.68按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥2.68
--
50+
￥2.23
--
1500+
￥2.06
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述
PXN4R7-30QLJ参数
| 制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 在售 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 15A（Ta），74A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.7 毫欧 @ 15.2A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 46.2 nC @ 10 V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2100 pF @ 15 V | 功率耗散（最大值） | 1.8W（Ta），42W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | MLPAK33 | 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
PXN4R7-30QLJ手册
PXN4R7-30QLJ概述
产品概述：PXN4R7-30QLJ N通道MOSFET
制造商背景 PXN4R7-30QLJ是由Nexperia USA Inc.制造的一款N通道MOSFET，Nexperia是全球领先的半导体解决方案供应商，专注于MOSFET、二极管、逻辑器件和其他基础电子组件的开发和生产。凭借其高效、可靠的产品，Nexperia致力于为多种应用提供最佳解决方案。
产品基本参数 PXN4R7-30QLJ的主要参数包括：
- FET类型: N通道
- 技术: MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）
- 漏源电压 (Vdss): 30V
- 连续漏极电流 (Id): 25°C时为15A（环境温度），74A（在晶体管工作温度下）
- 控制栅压 (Vgs): 最大值为±20V
- 导通电阻 (Rds On): 不同电流（Id）和栅源电压（Vgs）条件下的最大值为4.7 毫欧（在15.2A，10V条件下）
- 栅极电荷 (Qg): 在10V下，最大值为46.2nC
- 最大功率耗散: 在环境温度下最大值为1.8W，而在晶体管本体温度下达到42W
- 工作温度范围: 从-55°C到150°C（TJ）
封装与安装 PXN4R7-30QLJ采用MLPAK33封装，规格尺寸为3.3mm x 3.3mm，是一种便于表面贴装的设计，适合应用于各种空间受限的电子设备。卷带（TR）包装方式使其适合自动化生产线，出色的兼容性使得PXN4R7-30QLJ极易于集成到多种电路设计中。
应用 PXN4R7-30QLJ MOSFET因其优异的电气特性和广泛的工作温度范围，适合多种应用场景，主要包括但不限于：
- 电源管理: 作为开关元件，在DC-DC变换器、降压和升压变换器中具有广泛应用。
- 电机驱动: 可用于控制直流电动机陶电流，以提高电机驱动的效率。
- 负载开关: 可以用于开关电源中的负载管理，提供高效的开关控制。
- 自动化设备: 由于其高电流承载能力，PXN4R7-30QLJ适合用于工业自动化与物联网设备。
- 消费电子: 在各种消费性产品中，提供稳定的电源供应与控制。
优势 PXN4R7-30QLJ提供了出色的导通效率和低功耗特性，同时具有良好的热管理性能。其限制电流特性和小表面积封装使其成为现代电路设计的理想选择。采用MOSFET技术的先进设计，PXN4R7-30QLJ能够在高频下快速开关，有效提高电路的总体效率。
总结 PXN4R7-30QLJ N通道MOSFET凭借其稳定的性能、宽广的工作温度和高电压、电流处理能力，成为当今电子电路设计中不可或缺的组件之一。在对功率管理及能效要求日益提升的背景下，PXN4R7-30QLJ无疑将为多种应用场景提供高效、可靠的解决方案。对于电子工程师及设计师来说，选择PXN4R7-30QLJ将为其设计的产品增加竞争优势。