线路数 | 1 | 不同频率时阻抗 | 470 Ohms @ 100MHz |
额定电流(最大) | 200mA | DC 电阻 (DCR)(最大值) | 1.3 欧姆 |
工作温度 | -55°C ~ 125°C | 封装/外壳 | 0402(1005 公制) |
安装类型 | 表面贴装型 | 高度(最大值) | 0.022"(0.55mm) |
大小 / 尺寸 | 0.039" 长 x 0.022" 宽(1.00mm x 0.55mm) |
BLM15GG471SN1D 是一款高性能的磁珠,由知名电子元器件制造商村田(muRata)生产。这款磁珠专为高频应用而设计,具有优异的阻抗特性和出色的电流处理能力,是现代电子设备中至关重要的电磁干扰(EMI)抑制解决方案之一。
BLM15GG471SN1D 磁珠具备多个显著特点,使其在众多应用中效率显著。首先,470Ω 的阻抗在 100MHz 的频率下,提供了良好的 EMI 抑制能力,有效减少电磁干扰,提升电路的稳定性与可靠性。此外,其最大额定电流可达 200mA,能够适应不同负载条件下的工作需求。
该磁珠的最大直流电阻为 1.3Ω,表明其在电流通过时会产生相对较低的功耗,从而降低热量的产生,延长电路组件的使用寿命。这一点对于要求高度集成且功耗敏感的现代电子设备尤为重要。
BLM15GG471SN1D 的工作温度范围从 -55°C 到 125°C,适用于广泛的应用场景,包括汽车电子、工业设备及消费类电子产品等。这一范围确保了其在极端环境下仍能保持正常工作,大大增强了产品的适应性和应用广度。
该产品采用0402(1005公制)封装,尺寸仅为1.00mm x 0.55mm,这使其非常适合在空间有限的电路板上使用。此外,表面贴装的安装方式简化了生产流程,提高了生产效率,降低了组装成本,符合现代快速发展的电子产品生产需求。
BLM15GG471SN1D 磁珠广泛应用于各种电子产品中,尤其是在以下领域:
总的来说,BLM15GG471SN1D 磁珠凭借其出色的技术参数和广泛的适用性,成为了电子工程师在设计和集成时的重要选择。无论是用于EMI抑制、信号优化,还是提升电路的稳定性,BLM15GG471SN1D 都能为您的电子产品提供强有力的支持。随着电子技术的不断进步和-miniaturization趋势的加剧,选择合适的磁珠是设计成功的关键之一。