BSC032N04LSATMA1
BSC032N04LSATMA1参数
| 制造商 | Infineon Technologies | 系列 | OptiMOS™ |
| 包装 | 卷带（TR） | 零件状态 | 有源 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 21A（Ta），98A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.2 毫欧 @ 50A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±20V | 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），52W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PG-TDSON-8-6 | 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 漏源电压（Vdss） | 40V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 25nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1800pF @ 20V |
BSC032N04LSATMA1手册
BSC032N04LSATMA1概述
BSC032N04LSATMA1 产品概述
产品简介
BSC032N04LSATMA1 是英飞凌（Infineon Technologies）公司推出的一款 N 通道 MOSFET，隶属于其 OptiMOS™ 系列。这种场效应管在多种电源管理和开关应用中被广泛使用，其出色的性能和可靠性使其成为现代电子设备设计中的优选组件。该 MOSFET 的封装类型为 TDSON-8，适合表面贴装（SMD），在空间和密度要求较高的设计中尤为重要。
关键参数
- 漏源电压（Vdss）: 该 MOSFET 的漏源电压为 40V，适合用于中高压应用，能够确保在多数常见电源电路中安全运行。
- 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 条件下，产品的连续漏极电流可达 21A；而在较高的散热条件下（Tc），它能够支持高达 98A 的漏极电流，这为大电流应用提供了强大的支持。
- 功率耗散（Pd）: 在常温下，其最大功率耗散为 2.5W，而在良好的散热条件下可达 52W，表明该器件在高功率应用中具有良好的热管理能力。
导通电阻和栅极驱动
BSC032N04LSATMA1 在 10V 的栅驱动电压下，其在 50A 时的最大导通电阻（Rds(on)）为 3.2 毫欧。这一特性使其在需求低导通损耗的高效应用中表现优异。栅极阈值电压（Vgs(th)）的最大值为 2V，这对于确保在合理的控制电压下可靠开关非常重要。产品支持的最大栅极驱动电压为 ±20V。
电气特性
该 MOSFET 的输入电容（Ciss）最大值为 1800pF（在 20V 条件下），而栅极电荷（Qg）在 10V 时的最大值为 25nC。这些参数的设计使其在高频开关和交替操作中能够快速响应，从而保证高效能和低延迟满足设计要求。
工作温度和可靠性
BSC032N04LSATMA1 能在 -55°C 至 150°C 的工作温度范围内稳定运行，提供了在极端环境条件下的可靠性，适合各种应用如工业、汽车电子和消费类电子产品。其高温工作环境的适应性使其在恶劣条件下仍能保持优良的性能。
应用领域
凭借其优异的性能参数和高可靠性，BSC032N04LSATMA1 适用于电源管理、DC-DC 转换器、电机驱动、LED 驱动和其他要求稳定开关的应用。此外，在新能源、自动驾驶以及电动汽车等高科技领域，该产品的应用前景也非常广泛。
封装与安装
该部件采用 PG-TDSON-8-6 封装，具有紧凑、低引脚电阻和良好的散热性能，适合现代电子产品设计中的紧凑空间需求。表面贴装技术（SMD）使器件安装更加方便，提高了生产效率。
总结
总体而言，BSC032N04LSATMA1 MOSFET 是一款高效能、低功耗、适应性强的 N 通道场效应管，能够在严酷的工作环境中提供可靠的性能。它的多种优越参数以及广泛的应用范围，使其成为设计及工程师在选择电子元件时不可或缺的一部分，完美地满足现代电子产品对高效、节能和高性能的要求。