NSVRB521S30T1G 产品实物图片
NSVRB521S30T1G 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

NSVRB521S30T1G

商品编码: BM0117333589
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
SOD-523
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
肖特基二极管 500mV@200mA 30V 30uA@10V 200mA SOD-523
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
1.13
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.13
--
200+
¥0.867
--
1500+
¥0.754
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

NSVRB521S30T1G参数

安装类型表面贴装型二极管类型肖特基
速度小信号 =< 200mA(Io),任意速度电流 - 平均整流 (Io)200mA(DC)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)500mV @ 200mA电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)30V
工作温度 - 结-55°C ~ 125°C不同 Vr 时电流 - 反向泄漏30µA @ 10V
封装/外壳SC-79,SOD-523供应商器件封装SOD-523

NSVRB521S30T1G手册

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NSVRB521S30T1G概述

NSVRB521S30T1G 产品概述

1. 产品简介

NSVRB521S30T1G 是由安森美(ON Semiconductor)提供的一款表面贴装型肖特基二极管,主要用于高效整流和电源管理应用。该二极管具有低正向电压降和快速响应特性,非常适合用于小信号应用和需要低功耗的电路设计。其封装采用 SOD-523 型,能够满足现代电子设备小型化的需求。

2. 关键性能参数

  • 正向电压(Vf):在 200mA 的平均整流电流情况下,正向电压降为 500mV,这意味着在工作时可以有效降低功耗。
  • 反向电压(Vr):该二极管具有最高 30V 的反向击穿电压,可在多种电源电压环境下稳定运行。
  • 平均整流电流(Io):支持高达 200mA 的直流整流电流,适用于大多数低功耗负载。
  • 反向泄漏电流:在 10V 的反向电压下,其反向泄漏电流为 30µA,显示了该器件在反向工作状态下的优秀性能。
  • 工作温度范围:适用的结温范围为 -55°C 至 +125°C,确保在严苛的环境中也能可靠工作,使其成为高温和低温应用的理想选择。

3. 适用场景

NSVRB521S30T1G 的优势使其广泛应用于多个领域:

  • 移动设备:由于其小型化的封装和低功耗特性,该二极管非常适合智能手机、平板电脑等移动终端中的电源管理电路。
  • LED 驱动电路:肖特基二极管的低正向压降使其在 LED 驱动应用中非常有效,能够提升电源效率和降低发热。
  • DC-DC 转换器:在各种 DC-DC 转换器设计中,NSVRB521S30T1G 可以用于整流环节,帮助提高整体转换效率。
  • 电池供电设备:在电池管理电路中,该二极管有助于实现负载转移和充电控制,确保电池在安全条件下工作。

4. 封装与安装

NSVRB521S30T1G 使用 SOD-523 封装,这种封装小巧而轻便,方便在自动化设备中进行高速表面贴装(SMT)生产。SOD-523 封装的特性不仅有助于减少电路板的空间占用,还可以有效提升产品的整体散热性能,从而提高组件的可靠性。

5. 竞争优势

与传统的硅二极管相比,肖特基二极管在正向电压降和反向恢复特性方面表现更佳,能够显著降低开关损耗。这使得 NSVRB521S30T1G 在高频应用和低功耗电源设计中占有明显优势。此外,由于其广泛的工作温度范围,确保了设备在多种工作环境下的可靠性。

6. 总结

总的来说,NSVRB521S30T1G 是一款性能卓越的肖特基二极管,凭借其低正向电压、适中的反向电压能力以及广泛的工作温度范围,成为现代电子设计中不可或缺的组件之一。无论是在移动设备、LED 驱动器,还是在各种电源管理系统中,NSVRB521S30T1G 都能有效提升系统性能与可靠性。选择 NSVRB521S30T1G,意味着选择高效、可靠的电源解决方案。