IPA50R280CEXKSA2

产品概述：IPA50R280CEXKSA2

引言

当今电子设备对功率效率、热管理以及性能的要求日益增加，高效的半导体元器件成为现代电路设计的重要组成部分。英飞凌（Infineon）推出的IPA50R280CEXKSA2是一款高性能的N沟道 MOSFET，旨在满足这些需求，特别适合用于高电压和高电流的应用，如电源管理、逆变器、开关电源和驱动电路等。

基本规格

这款MOSFET的基础参数显示了其出色的性能。在25°C时，其连续漏极电流（Id）达到7.5A，适合处理较高的负载电流。同时，该器件的漏源电压（Vdss）高达500V，使其能够在高压环境下稳定工作。无论是高频开关还是线性应用，IPA50R280CEXKSA2都表现出优异的性能。

导通阻抗与驱动电压

导通电阻（Rds On）是衡量MOSFET效率的一个重要指标，该器件在Id为4.2A和Vgs为13V时的最大导通阻抗仅为280毫欧。这一低阻抗值在功率转换中有助于减小功率损耗，从而提高系统效率。对于Vgs的要求，最小驱动电压为13V，确保MOSFET在导通状态下能够高效工作，同时具备±20V的最大栅极-源极电压（Vgs），进一步增强其耐压特性。

输入电容与栅极电荷

在高频应用中，输入电容（Ciss）是一个关键参数，IPA50R280CEXKSA2在施加100V时的输入电容最大值为773pF。这意味着在高频开关操作时，该器件能够快速响应。栅极电荷（Qg）为32.6nC（在10V下），这一参数有助于评估MOSFET的开关速度与驱动器要求，更高的Qg意味着驱动器需要提供更多的电荷来快速打开或关闭MOSFET。

热管理与功率耗散

功率耗散能力是选择功率器件时的另一关键因素，IPA50R280CEXKSA2的最大功率耗散可达30.4W（在Tc条件下），结合其宽广的工作温度范围（-40°C ~ 150°C），使得该器件能够在各种环境条件下稳定工作。这种优越的散热性能将为设计提供更多的弹性，同时降低因过热引起的故障风险。

安装与封装

IPA50R280CEXKSA2采用TO-220-3封装，支持通孔安装，适合于多种电路板配置。TO-220的封装设计不仅提供了良好的散热能力，同时也便于在各种电子设备中集成。

应用领域

由于其高电压和高电流特性，IPA50R280CEXKSA2特别适用于：

• 开关电源（SMPS）
• 不间断电源（UPS）
• 电动机驱动器
• 逆变器和变频器
• 自动化设备中的驱动电路

无论是工业应用还是消费电子市场，该器件都能提供出色的性能与可靠性。

总结

IPA50R280CEXKSA2是一款综合多种优势的N沟道MOSFET，具有高漏源电压、高电流承载能力、低导通电阻和良好的热管理特性。它的广泛适用性和可靠性使其成为现代电源设计中不可或缺的选择。随着电子设备向着更高效、更可靠的方向发展，IPA50R280CEXKSA2无疑将在各行各业的应用中发挥重要作用。