FQD17P06TM
FQD17P06TM参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 135 毫欧 @ 6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 27nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±25V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 900pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），44W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D-Pak |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
FQD17P06TM手册
FQD17P06TM概述
FQD17P06TM 产品概述
一、基本信息
FQD17P06TM 是一款高性能的 P 型 MOSFET，专为需要高电流和高电压的应用而设计。该器件能够承受高达 60V 的漏源电压，最大连续漏极电流为 12A，可广泛应用于各种电子电路中，包括但不限于开关电源、马达驱动器和升降压转换器。
二、技术规格
FET 类型: P 通道 MOSFET
P 型 MOSFET 在电路设计中常用于负载开关，尤其是在需要将负电压接地或低于电源电压的应用中表现优越。漏源电压（Vdss）: 60V
该产品可以在 60V 的环境下稳定工作，适合高压电路的设计。连续漏极电流（Id）: 12A（Tc）
在适当的散热条件下，有效的最大漏极电流为 12A，使得 FQD17P06TM 能够应对高功率应用。导通电阻（Rds On）: 135 毫欧 @ 6A，10V
低导通电阻确保在导通状态下功耗最小，从而提高系统效率并减少热量产生。栅极阈值电压（Vgs(th)）: 最大值 4V @ 250µA
该器件的栅极阈值电压低于 4V，适合于低电压控制信号的驱动。栅极电荷（Qg）: 最大值 27nC @ 10V
栅极的电荷量帮助优化开关速度，降低开关损耗。输入电容（Ciss）: 最大值 900pF @ 25V
高输入电容值使得器件能够稳定工作，并在高频应用中表现良好。功率耗散: 最大值 2.5W（Ta），44W（Tc）
高功率耗散能力使其在高负载模式下依然能够保持稳定运行，适合集成在散热良好的设备中。工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
FQD17P06TM 的宽工作温度范围保证了它在极端条件下的稳定性，是航空航天和军事应用中的理想选择。封装和安装类型: 表面贴装型 TO-252-3（D-Pak）
D-Pak 封装提供了良好的散热性能，有利于在散热设计上达到更高的效率。
三、应用场景
FQD17P06TM 的高电压和电流特性使其在以下几个领域表现出色：
开关电源
在开关电源中，FQD17P06TM 可以用作开关元件，提供高效的电能转换能力，确保电源模块的稳定性和效率。电机驱动
该设备能够有效驱动电机，特别是在直流电机控制、电动工具及家电产品中表现突出。升降压变换器
FQD17P06TM 适合用于升降压变换器，能够实现高效的电压转换，并优化系统的整体性能。电能管理系统
在电池管理系统中，MOSFET 负责电源的开关控制，提高充电和放电效率，延长电池寿命。
四、总结
FQD17P06TM 是一款在各类应用中表现出色的 P 型 MOSFET，结合了高电压、高电流、低开关损耗和宽工作温度范围的优点，为各种电路提供了理想的解决方案。其出色的性能和稳定性使得它成为设计工程师在高效能电子设备中必备的核心元件之一。无论是在工业、消费电子还是汽车电子等领域，FQD17P06TM 都将为您的设计增添无限可能。