制造商 | Diodes Incorporated | 系列 | Automotive, AEC-Q101 |
包装 | 卷带(TR) | 零件状态 | 在售 |
FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 30 V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.8A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 32 毫欧 @ 6A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 17.3 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 969 pF @ 15 V |
功率耗散(最大值) | 1.2W(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-SO |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
概述
DMP3037LSSQ-13 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 P 通道 MOSFET,适用于汽车电子及其他需要高可靠性和高性能的电子应用。作为符合 AEC-Q101 标准的产品,DMP3037LSSQ-13 在开发时考虑到了汽车行业的严格要求,确保其在恶劣工作环境下的稳定性和耐用性。
关键特性
电气性能:
栅极电压和输入特性:
封装与尺寸:
工作环境:
功率耗散:
市场应用
DMP3037LSSQ-13 主要适用于以下几个市场和领域:
总结
DMP3037LSSQ-13 是一款高性能的 P 通道 MOSFET,凭借其优异的电气特性、良好的热管理能力和高温稳定性,成为汽车行业及其他高要求电子领域的理想选择。其低导通电阻、合适的阈值电压和广泛的工作温度范围,使其在多个应用场景中实现高效能、低能耗的解决方案。通过合理的设计和应用,DMP3037LSSQ-13 能够在确保性能的同时,降低整体系统的复杂性和成本。