存储器格式 | DRAM | 工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) |
电压 - 供电 | 3V ~ 3.6V | 技术 | SDRAM |
存储器接口 | 并联 | 存储器类型 | 易失 |
安装类型 | 表面贴装型 | 访问时间 | 5.4ns |
时钟频率 | 166MHz | 存储容量 | 256Mb (16M x 16) |
IS42S16160J-6BLI 是一款由美国芯成(ISSI)制造的高性能动态随机存取存储器(DRAM)。该存储器采用了同步动态随机存取存储器(SDRAM)技术,具备256Mb的存储容量(16M x 16位),被广泛应用于需要高速数据存取的电子设备,如通信、计算机、工业控制、消费电子等领域。
高性能访问速度: IS42S16160J-6BLI 具备5.4ns的访问时间和166MHz的时钟频率,确保数据读写速度兼具高效性和稳定性,尤其适合快速数据处理要求的系统。
宽温工作范围: 该产品支持-40°C至85°C的工作温度范围,能够在极端环境下稳定运行,适合工业级应用和严苛环境下的电子设备。
高容量: 256Mb的存储容量使其能够存储大量的数据,能够满足不同应用场景下的存储需求,特别是在数据存取频繁的情况下。
易失性存储: 作为易失性存储器,其在失去电源后将会失去存储的数据,适用于缓存、临时数据存储等不需要持久化存储的场景。
表面贴装封装: BGA-54封装形式使其能够在小型化设计中发挥优势,减少印刷电路板(PCB)的空间占用,为现代电子产品的小型化设计提供更大的灵活性。
IS42S16160J-6BLI 由于其高性能和广泛的工作温度范围,适用于多个领域,主要包括但不限于:
工业控制: 需要高可靠性和耐环境影响的工业设备使用该DRAM来存储运行数据和操作指令。
通信设备: 在基站、路由器等通信设备中,该存储器用于临时存储数据包和路由信息,提高通讯效率。
消费电子: 在智能手机、平板电脑等便携式设备中,运用其快速数据访问的特性实现流畅的用户体验。
汽车电子: 在现代汽车中,IS42S16160J-6BLI 可用作车载系统的存储解决方案,满足信息娱乐、导航等功能的高要求。
IS42S16160J-6BLI 代表了现代SDRAM技术的高水平,其卓越的性能和稳定性使得它在多个行业找到应用。它的高访问速度、宽温工作范围以及相对小巧的BGA封装,为设计工程师提供了理想的解决方案。随着技术的不断进步和各类电子产品对高速存储解决方案需求的增长,该产品无疑将在未来的市场中继续发挥重要作用。对于需要快速、高效、可靠存储的电子设备,IS42S16160J-6BLI 是一种理想的选择。