MMBZ5234BLT1G 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

MMBZ5234BLT1G

商品编码: BM0111413496
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
SOT-23-3(TO-236)
包装 : 
编带
重量 : 
0.03g
描述 : 
稳压二极管 独立式 6.2V 5.89V~6.51V 5uA@4V SOT-23
库存 :
5515(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.55
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.55
--
200+
¥0.183
--
1500+
¥0.115
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

MMBZ5234BLT1G参数

安装类型表面贴装型工作温度-65°C ~ 150°C
阻抗(最大值)(Zzt)7 Ohms电压 - 齐纳(标称值)(Vz)6.2V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)900mV @ 10mA功率 - 最大值225mW
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏5µA @ 4V容差±5%
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装SOT-23-3(TO-236)

MMBZ5234BLT1G手册

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无数据

MMBZ5234BLT1G概述

产品概述:MMBZ5234BLT1G 稳压二极管

MMBZ5234BLT1G是一款高性能的稳压二极管,专为需要稳定电压和可靠性能的电子应用而设计。作为安森美(ON Semiconductor)推出的一款表面贴装型元器件,MMBZ5234BLT1G在广泛的工作温度范围内表现优异,确保其在极端环境下依然能够维持稳定的电压输出。

关键规格

  • 安装类型: MMBZ5234BLT1G采用表面贴装型(SMD)设计,方便自动化生产与过锡炉焊接,适用于现代电子设备的紧凑设计。
  • 工作温度范围: 工作温度范围为-65°C至150°C,使其适用于各种环境条件,从严寒的北极地区到高温的工业应用场景。
  • 标称齐纳电压(Vz): 6.2V,具有±5%的电压容差,能够为各种电路提供稳定可靠的电压参考。
  • 最大阻抗(Zzt): 7 Ohms,确保在电路负载变化时,稳压二极管可以快速响应,有效降低电压波动。
  • 电流参数: 在不同的正向电流(If)下,Vf为900mV @ 10mA,表明在正常工作条件下,该二极管的导通损耗很低。同时,反向泄漏电流为5µA @ 4V,显示出优良的反向功耗特性。
  • 功率: 最大功率为225mW,提供高效的能量转换和稳压功能,适合各种功率要求的应用。

封装与外形

MMBZ5234BLT1G采用SOT-23-3(TO-236)封装,体积小,符合密集型PCB设计需求。该类型封装有助于减小整个电路板的尺寸,并提高空间利用率,对现代微型电子设备,如智能手机、嵌入式系统和便携式仪器等,具有良好的适应性。

应用领域

由于其卓越的性能特点,MMBZ5234BLT1G适合多种应用场景,包括但不限于:

  • 电压参考及稳压电源: 广泛用于线性稳压器、开关电源等领域,为电子设备提供稳定的电压输出。
  • 过电压保护: 可作为过电压保护元件,保护敏感电路免受幅度超过额定值的瞬态电压影响。
  • 信号调理: 被广泛应用于信号处理电路中,为模拟信号提供稳定的工作电压。
  • 电路中频率响应的稳定: 在RF应用中,有助于改善电路的频率响应,从而提升整个系统的性能。

性能优势

  1. 高温耐受性: MMBZ5234BLT1G在-65°C至150°C之间的广泛工作温度范围,使其能够在严酷环境下运行,适合航空航天、汽车电子等要求高可靠性的行业。
  2. 低正向压降: 低的正向电压(Vf)允许更高的效率,尤其是在便携式和低功耗设备中至关重要。
  3. 反向泄漏电流小: 其极低的反向泄漏电流确保了在无负载或轻负载条件下的能量效率,有助于延长电池供电设备的使用时间。
  4. 小巧的封装: SOT-23-3封装节省空间,此外,表面贴装设计有助于降低装配成本,提高生产效率。

小结

MMBZ5234BLT1G稳压二极管凭借其高可靠性和高性能,在电子设计领域中提供了诸多便利。无论是在功率管理、信号处理还是过电压保护应用中,它都展现出了优异的表现。作为安森美推出的产品,该元件不仅技术先进,而且价格合理,适合广泛的市场需求。对于寻求高效率、低功耗和高稳定性的设计工程师们,MMBZ5234BLT1G无疑是一个理想的选择。