IRFHM830TRPBF 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

IRFHM830TRPBF

商品编码: BM0111380190
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
PQFN-8(3.3x3.3)
包装 : 
编带
重量 : 
0.128g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 2.7W;37W 30V 21A;40A 1个N沟道 PQFN(3.3x3.3)
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
5年内
数量 :
X
2.72
按整 :
圆盘(1圆盘有4000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.72
--
100+
¥2.18
--
1000+
¥1.94
--
2000+
¥1.84
--
4000+
¥1.75
--
24000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRFHM830TRPBF参数

FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)30V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)21A(Ta),40A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)3.8 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.35V @ 50µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)31nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2155pF @ 25V
功率耗散(最大值)2.7W(Ta),37W(Tc)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装PQFN(3x3)
封装/外壳8-VQFN 裸露焊盘

IRFHM830TRPBF手册

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IRFHM830TRPBF概述

产品概述:IRFHM830TRPBF

IRFHM830TRPBF 是一款由英飞凌(Infineon)出品的高性能 N 通道 MOSFET,具有优越的电气特性和广泛的应用范围。其设计充分符合当今市场对高效能和高可靠性的需求,广泛应用于各类电源管理、电机驱动、汽车电子和工业控制系统。

主要参数

  1. 电压与电流特性

    • 漏源电压(Vdss)可以达到 30V,使其适合于低压应用。
    • 该器件的连续漏极电流(Id)在 25°C 环境温度下可达 21A,而在更高的散热条件(Tc)下可实现 40A,大大提升了其应用灵活性。
  2. 导通电阻

    • 在 10V 的栅极驱动电压下,使用时的导通电阻(Rds(on))最大值为 3.8 毫欧,这一低导通电阻有助于减小功率损耗,提高能效,适合高频率开关应用。
  3. 栅极阈值电压

    • Vgs(th) 最大值为 2.35V,使其具有较低的开关阈值,能够在较低的栅电压下实现良好的开关控制。
  4. 栅极电荷

    • 最大栅极电荷(Qg)为 31nC @ 10V,提供了良好的快速开关能力,适配多种驱动电路要求,以最低的开关损耗实现高效转换。
  5. 输入电容

    • 输入电容(Ciss)在 25V 下为 2155pF,适合高频率应用,有助于提升开关速度。
  6. 功率耗散

    • 在环境温度 Ta 下,其最大功耗为 2.7W,而在更好的散热条件 Tc 下,器件能承受的功率耗散高达 37W,增强了其在高功率应用中的表现。
  7. 工作温度范围

    • IRFHM830TRPBF 可在 -55°C 至 150°C 的宽温范围内稳定工作,适应恶劣的工作环境,确保设备的可靠性和稳定性。
  8. 封装与安装

    • 器件采用 PQFN-8(3.3x3.3)表面贴装封装,提供良好的热管理和电气性能,方便集成在紧凑的电路板设计中。

应用场景

IRFHM830TRPBF 适用于多种领域,具体应用包括但不限于:

  • DC-DC 转换器:其低导通电阻和快速响应特性,使其在开关模式电源(SMPS)中具有出色的表现。
  • 电机驱动:作为功率开关器件,能够满足高效电机控制的要求,特别在电动车辆和工业自动化中。
  • 汽车电子:以其广泛的工作温度范围和高可靠性,适合用于汽车电源管理和电子控制单元(ECU)。
  • LED 驱动:用于LED照明驱动电路中的开关控制,保证高效能和长寿命。

结论

总而言之,IRFHM830TRPBF 作为一款高性能的 N 通道 MOSFET,凭借其优异的电气特性、广泛的工作温度范围和优秀的功率处理能力,在现代电子设备中展现出良好的应用前景。无论是在能源管理,还是在高效电机驱动与汽车电子应用中,IRFHM830TRPBF 都是设计师的理想选择。