FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 21A(Ta),40A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 3.8 毫欧 @ 20A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.35V @ 50µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 31nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 2155pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 2.7W(Ta),37W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PQFN(3x3) |
封装/外壳 | 8-VQFN 裸露焊盘 |
产品概述:IRFHM830TRPBF
IRFHM830TRPBF 是一款由英飞凌(Infineon)出品的高性能 N 通道 MOSFET,具有优越的电气特性和广泛的应用范围。其设计充分符合当今市场对高效能和高可靠性的需求,广泛应用于各类电源管理、电机驱动、汽车电子和工业控制系统。
电压与电流特性:
导通电阻:
栅极阈值电压:
栅极电荷:
输入电容:
功率耗散:
工作温度范围:
封装与安装:
IRFHM830TRPBF 适用于多种领域,具体应用包括但不限于:
总而言之,IRFHM830TRPBF 作为一款高性能的 N 通道 MOSFET,凭借其优异的电气特性、广泛的工作温度范围和优秀的功率处理能力,在现代电子设备中展现出良好的应用前景。无论是在能源管理,还是在高效电机驱动与汽车电子应用中,IRFHM830TRPBF 都是设计师的理想选择。