STD10NF10L 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

STD10NF10L

商品编码: BM0110068983
品牌 : 
UMW(友台半导体)
封装 : 
TO-252
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
MOSFET N-CH 100V 15A DPAK
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
3.06
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.06
--
100+
¥2.35
--
1250+
¥2.05
--
2500+
¥1.93
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述

STD10NF10L参数

功率(Pd)55W反向传输电容(Crss@Vds)21pF
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)100mΩ@4.5V,5A
工作温度-55℃~+175℃栅极电荷(Qg@Vgs)19.2nC@10V
漏源电压(Vdss)100V类型1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)632pF@50V连续漏极电流(Id)15A
阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA

STD10NF10L手册

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STD10NF10L概述

产品概述:STD10NF10L N-channel MOSFET

在现代电子设备中,功率开关器件的选择对系统性能至关重要。STD10NF10L是一款来自友台半导体(UMW)的高性能N沟道MOSFET,适用于各种需要高频率和高效率电源管理的应用场景。其额定电压高达100V和高达15A的额定电流,使其在许多工业和消费领域都具备广泛的适用性。本文将对STD10NF10L进行详细分析,包括其关键特性、应用场景以及设计优势。

关键特性

  1. 电气特性

    • 额定电压:STD10NF10L的最大V_DS(漏-源电压)为100V,适合用于高电压应用。
    • 额定电流:该器件可以在15A的条件下稳定工作,使其能够处理较高的负载电流。
    • 低导通电阻:其R_DS(on)(导通电阻)值最小可低至0.3Ω,这对提高能量转换效率至关重要。在电源管理和开关电源应用中,降低导通电阻不仅可以减少功率损耗,还能降低器件发热,从而提高系统的整体可靠性。
  2. 封装形式

    • STD10NF10L采用TO-252(DPAK)封装,具备良好的散热性能,方便安装在PCB板上。此封装形式能够提供较大的接触面积,以确保良好的热管理,适合需要较高散热效率的应用。
  3. 开关特性

    • 本器件的开关速度非常快,适合高频率工作条件。这使得STD10NF10L在切换应用中具有更小的开关损耗,尤其在开关电源和DC-DC转换器中表现优异。

应用场景

STD10NF10L广泛应用于以下领域:

  1. 开关电源:适用于AC-DC和DC-DC转换器,能够有效地管理电能的输送和转换。

  2. 电机控制:在电机驱动或控制电路中,能够稳定有效地控制电机的启停和调速。

  3. LED驱动电源:在LED照明和显示应用中,作为高效的开关元件,能有效调节传输的电流,确保灯具的稳定运行。

  4. 电池管理系统:在电动车及可再生能源系统的电池管理中,能够实现快速的电源切换和精确的电流控制。

  5. 消费电子产品:适合用于手机充电器、笔记本电脑适配器等高功率消费电子产品。

设计优势

  1. 高效能:低导通电阻提供了更高的效率,适合现代高效能电源管理系统。

  2. 散热性能优越:TO-252封装设计带来的良好散热性能,使得器件在高负载和高温环境中依然能稳定工作。

  3. 可靠性:优秀的参数和电气特性,使得STD10NF10L在恶劣环境下也能维持可靠性,这是长期工作对于电子元器件的重要要求。

  4. 设计灵活性:其电气性能与封装特征使得在设计中具备较大的灵活性,可以适应不同的电路需求。

结论

综上所述,STD10NF10L N-channel MOSFET是一款在高电压、大电流应用中表现优秀的开关元件。凭借其出色的电气特性、优越的散热性能以及广泛的应用潜力,STD10NF10L在当前快速发展的电子市场中具有重要的地位。无论是工业设备、消费电子还是绿色能源管理系统,这款MOSFET都能为设计师和工程师提供可靠的解决方案。选择STD10NF10L,不仅能够提升电源效率,还能优化系统的整体性能,为未来的科技进步提供强有力的支持。