功率(Pd) | 55W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 21pF |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 100mΩ@4.5V,5A |
工作温度 | -55℃~+175℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 19.2nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 100V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 632pF@50V | 连续漏极电流(Id) | 15A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
在现代电子设备中,功率开关器件的选择对系统性能至关重要。STD10NF10L是一款来自友台半导体(UMW)的高性能N沟道MOSFET,适用于各种需要高频率和高效率电源管理的应用场景。其额定电压高达100V和高达15A的额定电流,使其在许多工业和消费领域都具备广泛的适用性。本文将对STD10NF10L进行详细分析,包括其关键特性、应用场景以及设计优势。
电气特性:
封装形式:
开关特性:
STD10NF10L广泛应用于以下领域:
开关电源:适用于AC-DC和DC-DC转换器,能够有效地管理电能的输送和转换。
电机控制:在电机驱动或控制电路中,能够稳定有效地控制电机的启停和调速。
LED驱动电源:在LED照明和显示应用中,作为高效的开关元件,能有效调节传输的电流,确保灯具的稳定运行。
电池管理系统:在电动车及可再生能源系统的电池管理中,能够实现快速的电源切换和精确的电流控制。
消费电子产品:适合用于手机充电器、笔记本电脑适配器等高功率消费电子产品。
高效能:低导通电阻提供了更高的效率,适合现代高效能电源管理系统。
散热性能优越:TO-252封装设计带来的良好散热性能,使得器件在高负载和高温环境中依然能稳定工作。
可靠性:优秀的参数和电气特性,使得STD10NF10L在恶劣环境下也能维持可靠性,这是长期工作对于电子元器件的重要要求。
设计灵活性:其电气性能与封装特征使得在设计中具备较大的灵活性,可以适应不同的电路需求。
综上所述,STD10NF10L N-channel MOSFET是一款在高电压、大电流应用中表现优秀的开关元件。凭借其出色的电气特性、优越的散热性能以及广泛的应用潜力,STD10NF10L在当前快速发展的电子市场中具有重要的地位。无论是工业设备、消费电子还是绿色能源管理系统,这款MOSFET都能为设计师和工程师提供可靠的解决方案。选择STD10NF10L,不仅能够提升电源效率,还能优化系统的整体性能,为未来的科技进步提供强有力的支持。