RJK0652DPB-00#J5
RJK0652DPB-00#J5参数
| 制造商 | Renesas Electronics America Inc | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 35A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 7 毫欧 @ 17.5A，10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 功率耗散（最大值） | 55W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | LFPAK | 封装/外壳 | SC-100，SOT-669 |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 29nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4100pF @ 10V |
RJK0652DPB-00#J5手册
RJK0652DPB-00#J5概述
RJK0652DPB-00#J5 产品概述
RJK0652DPB-00#J5 是由瑞萨电子（Renesas Electronics America Inc）制造的一款高性能N通道金属氧化物场效应管（MOSFET），专为涉及高电流、高电压及高效率应用的电子电路设计而成。其优异的电气特性和可靠的工作性能，使其成为多种应用场景的理想选择。
主要特性
额定电流与电压： RJK0652DPB-00#J5 的连续漏电流（Id）可达到35A，@25°C环境温度下工作，这意味着该元器件适合于需要大电流处理的应用。此外，漏源电压（Vdss）额定为60V，使其在高压应用中也能稳定工作。
导通电阻： 该MOSFET在10V栅源电压（Vgs）下，最大导通电阻（Rds On）为7毫欧（@ 17.5A），这意味着在较大的负载下，它的功耗非常低，有助于提高整体系统的效率，减少热量产生。
驱动电压： RJK0652DPB-00#J5 可在4.5V和10V的驱动电压下工作，适用于逻辑电平驱动或高电平驱动的应用情境。
散热性能与工作温度： 本产品的功率耗散能力高达55W（在Tc条件下），并且可以在最高150°C的工作温度下稳定运行，从而为高温或恶劣环境下的应用提供可靠性保障。
封装形式： 该MOSFET采用SC-100（SOT-669）表面贴装型封装，有助于缩小PCB空间需求，同时也支持更高的集成度。
电荷特性： 不同Vgs条件下，栅极电荷（Qg）最大值为29nC（@ 4.5V），输入电容（Ciss）最大值为4100pF（@ 10V），这些参数反映了该元器件在开关应用中的快速响应能力和低驱动功耗特性。
应用场景
RJK0652DPB-00#J5 适用于多种场合，包括但不限于：
- 直流-直流转换器：由于其高效的导通电阻和电流承载能力，该MOSFET可以在电源管理系统中作为开关元件，确保电能的有效传输与转换。
- 电机驱动：在电动机控制和驱动电路中，RJK0652DPB-00#J5可以用作电机的驱动开关，优化电机的性能并提高整体效率。
- 电池管理系统：在电池充电与管理应用中，其高温工作范围与良好的电流处理能力，能够提升系统的可靠性与安全性。
- LED驱动：在高功率LED照明方案中，该元器件能够有效控制LED的亮度与节能表现。
总结
RJK0652DPB-00#J5 是一款在高电流、高效率应用中表现卓越的N通道MOSFET。其出色的电气性能与宽广的工作温度范围，使其成为现代电子设计中不可或缺的核心元件之一。无论是在电源管理、电机驱动还是其他各类高效能应用中，这款MOSFET都能提供卓越的性能和可靠性，助力工程师实现高效、稳定的设计目标。