功率(Pd) | 7.3W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 3.1nF@15V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 0.68mΩ@10V,20A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 325nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 30V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 11.5nF@15V | 连续漏极电流(Id) | 200A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.4V@250uA |
AON6560 是由 AOS(先进半导体有限公司)生产的一款高效能 N 沟道 MOSFET(场效应管),设计用于高功率应用。该元器件具有较低的导通阻抗和显著的热管理能力,适合在需要高电流和高效率的电源管理系统中使用。AON6560 采用先进的工艺制造,具备强大的电流承载能力,适合各种电子设备的需求。
这些规格使得 AON6560 能够在多个高电流、低电压的应用场景中表现出色,提供可靠的性能和长时间的稳定工作。
AON6560 的 DFN5x6-8L 封装设计具有紧凑性和良好的散热性能。DFN(扁平无引脚封装)可以有效降低设备的整体面积,同时帮助降低高频下的电感,使得在高频开关条件下的性能更为优越。此外,DFN 封装具有较好的热传导特性,能够迅速散热,防止过热对元器件性能造成影响。
AON6560 可广泛应用于各种高效能电源管理和转换应用,包括但不限于:
AON6560 的低 R_DS(on)(导通电阻)值使得在导通条件下,电流通过时的损耗小,从而提升系统整体的能效。通过高效的功率转换,能够降低不必要的热量生成,使设备在长时间工作过程中保持稳定性能,延长元器件和设备的使用寿命。其卓越的热性能还使得它在有限空间内运行得以实现更高功率密度的设计。
与市场上其他同类产品相比,AON6560 在高电流可负载能力与低导通阻抗方面均表现出色。其紧凑的 DFN 封装设计,使得在集成电路或多功能电源模块中能够实现更高的集成度。此外,AOS 提供的技术支持和优质的客户服务,确保客户能够在设计与产品开发过程中得到全面的帮助。
AON6560 是一款高度集成的 N 沟道 MOSFET,适合各类高效能电气应用,可以为高电流和大功率的需求提供有效的解决方案。凭借其低功耗、高热管理能力和优良的电气性能,AON6560 将为设计师和工程师提供一个可靠的选择,以支持他们开发出更高效、更小型化的先进电子产品。