功率(Pd) | 470mW | 反向传输电容(Crss@Vds) | 6.5pF |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 450mΩ@4.5V |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 600pC |
漏源电压(Vdss) | 20V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 42pF | 连续漏极电流(Id) | 900mA |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
DMN2710UW-7 是一款由美台公司(DIODES)生产的高效场效应晶体管(MOSFET)。该器件具有低导通电阻和快速开关能力,非常适合用于各种电源管理和信号处理应用。封装规格为 SOT-323,适合在空间有限的电路板中使用,广泛应用于便携式电子设备、计算机及通信设备等领域。
导通电阻:DMN2710UW-7 在较低的栅源电压(如2.5V和4.5V)下具有较低的导通电阻。这使得器件在低温和高频操作下拥有出色的性能,能够有效减少功率损耗,提升系统的能效。
宽工作电压范围:该 MOSFET 的最大漏源电压为20V,适合用于多种低压和中压应用,能够处理较大的电流负载,满足不同电源电路的需求。
小型封装:采用 SOT-323 封装设计,DMN2710UW-7 在占用空间极小的同时,提供了良好的散热性能,使其能够在高密度应用中发挥作用。
高开关速度:该器件具备快速开关特性,能够在高频应用中提供更好的响应时间,广泛适用于开关电源、音频放大器和高频信号处理电路等。
低门脉冲电流:在驱动该 MOSFET 时,所需的门脉冲电流较低,方便使用者设计简单有效的控制电路。
以上参数确保了 DMN2710UW-7 在多种用途下的可靠性,无论是在电源管理、信号切换,还是在马达驱动和功率转换应用中。
DMN2710UW-7 是一款由 DIODES 节能高效的 MOSFET,凭借其小型封装、低导通电阻和出色的开关特性,成为多个电子应用领域的理想选择。无论是实现电源管理还是信号控制,该 MOSFET 都能够提供卓越的性能和可靠性,帮助设计工程师优化他们的电路设计,并提升最终产品的性能与效率。
对于需要高可靠性和高效能的电源和控制解决方案的开发项目,DMN2710UW-7 绝对是值得考虑的器件。