不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 5 毫欧 @ 20A,10V | 功率 - 最大值 | 1W |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 17A,32A |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 10nC @ 4.5V | 安装类型 | 表面贴装型 |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1160pF @ 15V |
FET 类型 | 2 N 沟道(双)非对称型 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
FET 功能 | 逻辑电平栅极,4.5V 驱动 |
在现代电子应用中,对高效能和可靠性的要求不断提升,尤其是在电源管理和信号调节领域。BSC0924NDIATMA1,作为英飞凌(Infineon)推出的一款高性能场效应管(MOSFET),凭借其卓越的电气特性和强大的工作能力,是众多电子设计中的理想选择。本产品在功率转换、开关电路和驱动应用等方面表现出色,将为设计工程师提供更加灵活和可靠的解决方案。
BSC0924NDIATMA1是一种双N沟道MOSFET,具有以下显著特性:
导通电阻低:在20A电流和10V栅极电压下,其最大导通电阻为5毫欧。这一低导通电阻将极大地减少功率损耗,提高整体电路的能效,尤其在高电流应用中表现尤为突出。
高连续漏极电流:该元件的最大连续漏极电流在25°C环境下为17A,而在一定条件下可以达到32A。这一高电流能力使其适合用于高功率驱动和重负载应用。
工作温度广泛:BSC0924NDIATMA1的工作温度范围从-55°C到150°C,确保了其在各种极端环境中的稳定性和可靠性,适用于汽车、工业以及其他要求高温工作环境的应用。
逻辑电平栅极驱动:该MOSFET能够在4.5V的栅极电压下有效导通,兼容大多数逻辑电平驱动电路,简化了驱动电路设计。
低栅极电荷:最大栅极电荷(Qg)为10nC(在4.5V下测量),这一特性使得驱动电路对功率损耗的要求减少,提高开关效率,特别是在高频应用中具有良好的响应特性。
输入电容:在15V下,输入电容(Ciss)最大值为1160pF,这一参数对于高速切换和驱动电路设计尤为重要,帮助工程师优化电路的频率响应。
BSC0924NDIATMA1以其综合优越性能,广泛应用于多个领域,包括但不限于:
电源管理:在DC-DC转换器和电池管理系统中,利用其低导通电阻和高电流能力,实现高效能的电源转换。
汽车电子:满足汽车行业对元件可靠性和工作温度的高标准,适合用于电动汽车驱动系统及车载电源应用。
工业控制:在PLC、伺服驱动和工业自动化设备中,提供稳定的开关控制,以实现精确的信号调节。
消费电子:应用于开关电源、LED驱动电路等,提供良好的性能和保障,提高电子消费产品的效率与使用寿命。
作为表面贴装型MOSFET,BSC0924NDIATMA1采用TDSON-8封装,提供的紧凑尺寸和优良的热管理性能,使其在空间有限的应用中同样表现出色。其设计方便自动化贴装,提高生产效率。
综上所述,BSC0924NDIATMA1是一款功能强大、性能卓越的2N沟道双重MOSFET,其低导通电阻、高电流能力以及广泛的工作温度范围,使其成为现代电子设备的重要组成部分。无论是在电源管理、汽车电子,还是工业和消费电子领域,英飞凌的这一产品都能够为设计工程师提供出色的解决方案,助力于更高效、更可靠的产品开发与创新。