2SD2656T106 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

2SD2656T106

商品编码: BM0107672942
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
UMT3
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
三极管(BJT) 200mW 30V 1A NPN UMT-3
库存 :
2449(起订量1,增量1)
批次 :
21+
数量 :
X
0.496
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.496
--
200+
¥0.32
--
1500+
¥0.278
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

2SD2656T106参数

晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)(最大值)1A
电压 - 集射极击穿(最大值)30V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)350mV @ 25mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)270 @ 100mA,2V
功率 - 最大值200mW频率 - 跃迁400MHz
工作温度150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳SC-70,SOT-323供应商器件封装UMT3

2SD2656T106手册

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2SD2656T106概述

2SD2656T106 产品概述

一、基本信息

2SD2656T106 是由知名电子元器件制造商 ROHM(罗姆)生产的一款高性能 NPN 晶体管。该晶体管设计用于多种电子应用,具有出色的电气特性和稳定的工作性能,是现代电子电路中重要的基础元件之一。其主要应用包括开关电路、放大器电路以及数字电路中的信号处理等。

二、主要参数

  1. 晶体管类型:NPN
  2. 集电极电流 (Ic):最大值为 1A,适合处理较高的充电和放电电流。
  3. 集射极击穿电压 (Vce):最大值为 30V,适用多种中低压应用,保障安全运行。
  4. 饱和压降 (Vce_saturation):在不同的基极电流 (Ib) 和集电极电流 (Ic) 条件下,当 Ic 为 25mA 和 500mA 时,饱和压降分别达到最大 350mV 和 500mV。低饱和压降意味着更高的能效和更低的功率损耗。
  5. 截止电流 (ICBO):最大值为 100nA,表明该器件在关闭状态下的漏电流非常小,可以提高电路的稳定性和可靠性。
  6. 直流电流增益 (hFE):在 Ic 为 100mA 时,最小值为 270。增益高的特点导致在较小的基极电流时即可驱动较大的集电极电流,有效提升了电路的功率输出能力。
  7. 功率最大值:功耗最大值为 200mW,适合中低功率应用环境。
  8. 频率响应:该晶体管的跃迁频率达到了 400MHz,适用于高速信号处理以及广泛的频率应用场景。
  9. 工作温度:最高工作温度为 150°C(TJ),可在严苛环境中稳定工作。
  10. 封装类型:表面贴装型,封装形式为 SC-70 / SOT-323,便于在现代小型化电路中集成和布局,特别适合于高密度的表面贴装设备。

三、应用场景

由于其良好的电流放大特性和高频性能,2SD2656T106 非常适合在以下领域中应用:

  1. 开关电路:作为开关器件,可广泛应用于电机驱动、照明控制和电源管理等领域。
  2. 放大器电路:可用作音频放大器、RF(射频)放大器等,满足信号处理的需求。
  3. 逻辑电路:在数字电路中,2SD2656T106 可用于构建信号转换和处理电路,适合数字逻辑门以及控制电路中。
  4. 传感器应用:可与各种传感器配合使用,处理从传感器采集的模拟信号。

四、总结

2SD2656T106 是一款性能卓越的 NPN 晶体管,具备高集电极电流、良好的频率响应、高增益、低饱和压降和超低的截止电流等关键特性,适用于多种电子设计与应用。该产品以其高温稳定性和小型化封装优势,使其成为现代电子产品如消费电子、通信设备及工业控制系统等领域的理想选材。

ROHM 品牌的质量保证与支持使得 2SD2656T106 成为设计师和工程师们值得信赖的选择,无论是用于新产品开发还是现有系统的升级,都是一种理想的解决方案。