频率 | 1kHz | 电压 - 测试 | 10V |
电流 - 测试 | 500µA | 晶体管类型 | N 通道 JFET |
噪声系数 | 1dB | 制造商 | Toshiba Semiconductor and Storage |
包装 | 卷带(TR) | 零件状态 | 有源 |
FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10mA(Ta) | 功率耗散(最大值) | 150mW(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 125°C(TA) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | SC-59 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 13pF @ 10V | 基本产品编号 | TC74VHC10 |
2SK209-GR(TE85L,F) 是一款由东芝(Toshiba)生产的高性能 N 通道结型场效应管(JFET),其主要应用于模拟信号放大及开关电路。该器件采用 SC-59 表面贴装封装,设计紧凑,适合在空间受限的应用中使用。此产品具备优越的电气特性和工作稳定性,适应于各种电子设备的需求。
高性能和低噪声:2SK209-GR 的噪声系数仅为 1 dB,使其在信号处理应用中保持高信号噪声比(SNR),非常适合音频设备和敏感传感器的前端放大。
宽工作温度范围:该器件在 -55°C 到 125°C 的工作温度范围内都能良好运行,确保在极端环境条件下的可靠性,适合工业、军事及航空航天应用。
高效率和功率兼容性:最大功率耗散可达到 150 mW,适合高密度电路的集成。然而,其额定的连续漏极电流为 10 mA,设计者可以根据需要优化电路的功率使用。
紧凑的封装设计:SC-59 的表面贴装封装设计,使得 2SK209-GR 在电路板布局中节省空间,非常适合现代电子产品的设计需求。
广泛的应用场景:得益于其出色的电气性能,2SK209-GR 在传感器前端放大、音频放大器、RF 放大器以及开关电路等多种应用中展现出优异的性能。
2SK209-GR(TE85L,F) 是一款功能齐全、性能优异的 N 通道 JFET,在现代电子应用中展现出卓越的可靠性和适用性。其低噪声和高效能特性使其成为音频、RF 和信号处理等多个领域的理想选择。设计工程师可以放心地将其集成到各种电路中,以满足高性能电子产品的要求。