DTC023JUBTL 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DTC023JUBTL

商品编码: BM0107672916
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
UMT3F
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
数字晶体管 200mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置 UMT-3F
库存 :
2150(起订量1,增量1)
批次 :
21+
数量 :
X
0.444
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.444
--
200+
¥0.148
--
1500+
¥0.0924
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

DTC023JUBTL参数

晶体管类型NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V电阻器 - 基极 (R1)2.2 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2)47 kOhms不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)80 @ 5mA,10V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)150mV @ 500µA,5mA频率 - 跃迁250MHz
功率 - 最大值200mW安装类型表面贴装型
封装/外壳SC-85供应商器件封装UMT3F

DTC023JUBTL手册

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DTC023JUBTL概述

DTC023JUBTL 产品概述

概述

DTC023JUBTL是一款由知名半导体制造商ROHM(罗姆)推出的高性能NPN类型数字晶体管。作为一种预偏压设计的晶体管,它旨在为各种电子应用提供优化的电流放大特性和高稳定性,广泛适用于开关电路、放大器以及数字电路中。

基本参数

DTC023JUBTL的基础参数如下:

  • 晶体管类型: NPN - 预偏压
  • 最大集电极电流 (Ic): 100mA
  • 最大集射极击穿电压 (Vce): 50V
  • 基极电阻 (R1): 2.2 kΩ
  • 发射极电阻 (R2): 47 kΩ
  • 最小DC电流增益 (hFE): 80 @ 5mA,10V
  • 最大饱和压降 (Vce(sat)): 150mV @ 500µA,5mA
  • 频率 - 跃迁: 250MHz
  • 最大功率: 200mW
  • 安装类型: 表面贴装型
  • 封装/外壳: SC-85
  • 供应商器件封装: UMT3F

DTC023JUBTL采用了SC-85封装,这种小型化的表面贴装封装形式不仅节省 PCB 设计空间,还能满足高密度电子设备对组件体积的严格要求。此外,它的UMT3F封装方式帮助进一步提升了散热性能与应用可靠性。

应用场景

DTC023JUBTL的特性使其非常适合以下应用场景:

  1. 开关电路:由于其高达100mA的集电极电流和250MHz的工作频率,DTC023JUBTL可用于执行快速开关操作,这在诸如LED驱动器和继电器控制等电路中非常有用。

  2. 放大器:该晶体管的hFE最小为80,意味着其在放大微弱信号方面相对高效,特别适用于音频放大器和信号处理应用。

  3. 数字电路:DTC023JUBTL的低饱和压降和高频响应使其适合用于逻辑电平的转换与驱动,特别是在高频率条件下。

  4. 消费电子:小巧的封装和优良的性能让DTC023JUBTL能够广泛应用于手机、平板电视、电脑及其他个人电子设备中。

性能特点

  1. 高集电极电流和电压:DTC023JUBTL可以处理高达100mA的电流,能在50V的电压下安全工作,为复杂电路设计提供了充足的处理能力。

  2. 优秀的频率响应:频率跃迁特性达到250MHz,确保了它能够在复杂信号处理中的稳定性。

  3. 低功耗和高效能:200mW的最大功率损耗意味着这个晶体管在多种应用中能够有效地限制热效应,提升整体系统的能效。

  4. 小型封装及易于布局:SC-85表面贴装封装设计简化了组件布局,同时提高了生产效率,适合现代电子设备对空间和成本的要求。

结论

综上所述,DTC023JUBTL是一个高效、可靠的小型NPN预偏压数字晶体管,适合各类高频率、低功耗应用。在现代电子设计中,其出色的性能使其成为一个理想的选择,无论是在开关电路、放大器还是数字电路中,都可为设计师提供有效的解决方案。随着电子技术的不断发展,DTC023JUBTL将继续在创新与实践中发挥重要作用。