电阻器 - 发射极 (R2) | 47 千欧 | 功率 - 最大值 | 150mW |
频率 - 跃迁 | 250MHz | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 250µA,5mA | 安装类型 | 表面贴装型 |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 80 @ 10mA,5V | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
晶体管类型 | 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) | 电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器 - 基极 (R1) | 2.2 千欧 |
UMD25NTR 是一款高性能的数字晶体管,采用 SOT-363 封装设计,旨在满足现代电子应用中的多种需求。该产品集成了一个 NPN 和一个 PNP 晶体管,适用于需要预偏置的电路。其功耗高达 150mW,能够在 50V 的最大集射极击穿电压下稳定工作,适合用于低功耗、高频率的应用场景。此器件由知名品牌 ROHM(罗姆)制造,代表了优质可靠的电子元件。
UMD25NTR 数字晶体管适用于多个领域,包括但不限于:
UMD25NTR 采用 UMT6 封装,适合表面贴装技术(SMD),使得其在电路板上占用较小的空间,便于小型化设计。在现代电子产品向小型化、薄型化发展的趋势下,SOT-363 封装能够满足日益苛刻的尺寸要求。
UMD25NTR 作为一款兼具高性能和多功能的数字晶体管,适合各类电子仪器、消费电子产品和工业应用。其特有的电气特性,以及来自 ROHM 的品牌保证,为电子工程师提供了强有力的设计支持。选择 UMD25NTR,意味着选择高效、可靠和灵活的解决方案,是现代电子设计的理想之选。