制造商 | Infineon Technologies | 系列 | CoolMOS™ P7 |
包装 | 管件 | 零件状态 | 有源 |
FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4A(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 1.4 欧姆@ 700mA,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 40µA |
Vgs(最大值) | ±16V | 功率耗散(最大值) | 22.7W(Tc) |
工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | PG-TO251-3 | 封装/外壳 | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
漏源电压(Vdss) | 700V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 4.7nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 158pF @ 400V |
IPS70R1K4P7SAKMA1 是由 Infineon Technologies 主要推出的一款高性能 N 通道 MOSFET,其系列名为 CoolMOS™ P7。这款MOSFET特别设计用于各种高功率和高电压应用,具有极优的导电性和开关性能。因而,广泛应用于电源管理及变换器、工业设备、以及汽车等应用领域,满足现代电子设备对能效和可靠性的高要求。
IPS70R1K4P7SAKMA1 采用了一种先进的 MOSFET 技术,具有低导通电阻和高电流承载能力,使其在高频和高电压应用中表现出色。这款产品的导通电阻为1.4Ω,这样的设计不仅减少了功耗,提升了转换效率,还有效降低了发热量,确保更长的使用寿命和更高的可靠性。
IPS70R1K4P7SAKMA1 可广泛应用于多个领域,包括:
IPS70R1K4P7SAKMA1 的安装类型为通孔,适用于许多应用场景的PCB设计。其标准的 TO-251 封装结构使得用户在选择和焊接时十分便利,同时也便于散热设计,以保持器件在工作条件下的温度控制。
IPS70R1K4P7SAKMA1 是一款融合高性能、高可靠性及多功能性于一体的 N 通道 MOSFET,特别适用于需要高电压和大电流的各种应用。其出色的电气特性和灵活的应用能力,保证了其在高端电源管理解决方案中的重要地位。无论是工程师在设计复杂的电源系统,还是普通用户寻找可靠的电子元件,IPS70R1K4P7SAKMA1 都是一个卓越的选择。