STB9NK50ZT4
STB9NK50ZT4参数
| 制造商 | STMicroelectronics | 系列 | SuperMESH™ |
| 包装 | 卷带（TR） | 零件状态 | 不適用於新設計 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7.2A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 850 毫欧 @ 3.6A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 100µA |
| Vgs（最大值） | ±30V | 功率耗散（最大值） | 110W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | D2PAK | 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 漏源电压（Vdss） | 500V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 32nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 910pF @ 25V | 基本产品编号 | STB9N |
STB9NK50ZT4手册
STB9NK50ZT4概述
STB9NK50ZT4 产品概述
基本信息
STB9NK50ZT4 是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高效能 N 沟道 MOSFET，属于其 SuperMESH™ 系列。该产品采用表面贴装型（SMD）封装，具体为 D2PAK，适用于高电压和高功率应用场景。该 MOSFET 的主要参数包括最大漏源电压（Vdss）达 500V，连续漏极电流（Id）可达 7.2A 以及最大功率耗散为 110W，能够在恶劣环境中保持稳定的性能。
技术特点
高电压耐受性：STB9NK50ZT4 具备高达 500V 的漏源电压，使其能够应用于高压电源和电机驱动等领域，极大地提升了其在高压确流和转换电路中的应用灵活性。
低导通电阻：在 10V 的驱动电压下，该 MOSFET 的最大导通电阻（Rds On）为 850 毫欧（@ 3.6A），这意味着在导通过程中能耗较低，有利于提升整体能效，特别适合用于开关电源和 DC-DC 转换器。
宽工作温度范围：STB9NK50ZT4 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，使其在极端环境下运行稳定。此性能使其非常适合于航空航天、汽车电子及其他严苛工业领域的应用。
较小的栅极电荷（Qg）：该产品在 10V 驱动下的栅极电荷为 32nC，降低了驱动电路的功耗，从而更有利于高频开关应用。这使其十分适合高频开关电源设计。
强大的额定功率：STB9NK50ZT4 的最大功率耗散能力为 110W（Tc），为多任务和高负荷工作环境下的应用提供了良好的性能支撑。
应用场景
由于其卓越的电气特性和高可靠性，STB9NK50ZT4 MOSFET 广泛应用于多种重要场合：
- 开关电源：该 MOSFET 可用于开关电源（SMPS）的主开关元件，帮助实现高效的电力转换。
- 电机控制：在电动机驱动和控制电路中，STB9NK50ZT4 的高电流和高电压能力使其成为理想的选择，支持各种工业及消费产品中的电机驱动。
- 逆变器：在发电和能量存储行业，作为逆变器的开关元件，支持可再生能源应用。
- 汽车电子：该器件适用于要求高效率和可靠性的汽车电子产品，如电动汽车的电源管理系统。
总结
STB9NK50ZT4 MOSFET 代表了意法半导体在电源管理领域的先进技术。其在高压和高电流下出色的导电性、低导通电阻、宽工作温度范围以及高功率处理能力，使其成为多种应用的理想解决方案。无论是在工业机器的控制电路中，还是在现代电动汽车的电源系统中，STB9NK50ZT4均展现出了优异的性能，能够有效满足客户在高效能和高可靠性方面的需求。作为一种不适用于新设计的元件，STB9NK50ZT4 在现有市场中仍然保持较好的竞争力，其技术背景和应用实例为用户提供了可靠的选择依据。