IPD60R180P7SAUMA1
IPD60R180P7SAUMA1参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 18A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 180 毫欧 @ 5.6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 280µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 25nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1081pF @ 400V |
| 功率耗散（最大值） | 72W（Tc） | 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
IPD60R180P7SAUMA1手册
IPD60R180P7SAUMA1概述
产品概述：IPD60R180P7SAUMA1
基本信息
IPD60R180P7SAUMA1是一款高性能N通道MOSFET，由知名半导体制造商英飞凌（Infineon）生产，专为高电压和高电流应用而设计。其技术特点使其在各种电子设备中广泛应用，包括电源管理、马达驱动和高频开关等场合。该MOSFET的主要参数如下：
- 漏源电压 (Vdss): 600V
- 连续漏极电流 (Id): 18A (在25°C时，Tc)
- 导通电阻 (Rds On): 最大180毫欧（@5.6A，10V）
- 栅源阈值电压 (Vgs(th)): 最大4V (@280µA)
- 栅极电荷 (Qg): 最大25nC (@10V)
- 输入电容 (Ciss): 最大1081pF (@400V)
- 功率耗散: 最大72W (Tc)
- 工作温度范围: -40°C至150°C
- 封装类型: TO-252-3 (DPak)
技术优点
IPD60R180P7SAUMA1的设计结合了高效能和可靠性。其600V的额定电压使其能够处理高压应用，从而在家用电器、工业设备和电源转换模块等领域表现出色。该器件的导通电阻低至180毫欧，能有效降低功率损耗，提高系统的整体效率。栅极电荷（Qg）达到25nC，意味着器件的开关速度快，能够支持更高的开关频率，这对高频操作尤其重要。
热管理与功率处理
在热管理方面，IPD60R180P7SAUMA1的功率耗散能力高达72W（Tc），使其在较高负荷下依然稳定运行。这一特性非常适用于需要长时间工作而不产生过多热量的集中系统，如电力转换器、逆变器等设备。该MOSFET的工作温度可在极端环境下达到了-40°C至150°C，使其适用于各种苛刻条件下的应用。
封装与安装
该MOSFET采用TO-252-3（DPAK）封装，适用于表面贴装技术（SMT），有助于减小 PCB 空间占用，提高生产效率。这种封装的设计确保了良好的散热性能和电气连接可靠性，非常适合现代电子设备紧凑设计的需求。
应用场景
IPD60R180P7SAUMA1广泛应用于多种行业和产品中。例如：
电源管理：在开关电源、DC-DC转换器中，可以高效地进行电能转换，从而提供稳定可靠的电力输出。
马达驱动：在电动机控制系统中，利用其高电压和电流能力驱动高功率电动机，实现高效的动力输出。
照明设备：应用于LED驱动电源中，通过快速开关实现高效节能的照明方案。
自动化控制：在工业自动化领域，MOSFET用于驱动继电器和控制电磁阀，以实现自动控制与逻辑操作。
总结
IPD60R180P7SAUMA1是一款高效、可靠的N通道MOSFET，具有优越的电气性能和广泛的应用潜力。凭借高达600V的耐压、18A的连续电流能力以及低导通电阻特性，使其在多种工业和消费电子设备中发挥至关重要的作用，是现代电子设计中的理想选择。选择英飞凌的IPD60R180P7SAUMA1，不仅可以满足高性能需求，还能确保卓越的产品质量与长期可靠性。