UMY1NTR 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

UMY1NTR

商品编码: BM0107672890
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
UMT5
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
三极管(BJT) 150mW 50V 150mA NPN+PNP SOT-353-5
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.353
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.353
--
200+
¥0.227
--
1500+
¥0.198
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

UMY1NTR参数

晶体管类型NPN,PNP(耦合发射器)电流 - 集电极 (Ic)(最大值)150mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)400mV @ 5mA,50mA / 500mV @ 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)120 @ 1mA,6V
功率 - 最大值150mW频率 - 跃迁180MHz,140MHz
工作温度150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353供应商器件封装UMT5

UMY1NTR手册

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UMY1NTR概述

产品概述:UMY1NTR

UMY1NTR 是一款高度集成的 NPN/PNP 战略晶体管,专为满足现代电子电路设计的高效能和紧凑型要求而研发。作为罗姆(ROHM)公司推出的优质元器件之一,UMY1NTR 的设计充分考虑了多种应用场景的需求,旨在为工程师和设计人员提供卓越的性能和灵活性。

基本参数和特性

UMY1NTR 属于三极管(BJT)系列,其关键参数如下:

  • 晶体管类型:支持 NPN 和 PNP 类型,能够适应多种电路设计。
  • 最大集电极电流 (Ic):150mA,适合普通功率要求的应用。
  • 集射极击穿电压 (Vce):最高可达 50V,确保在较高电压环境下稳定工作。
  • 饱和压降 (Vce(sat)):在不同的Ib、Ic下,最大为 400mV(@ 5mA,50mA),500mV(@ 5mA,50mA)。这保证了在正常工作状态下低的功耗和热量。
  • 集电极截止电流 (ICBO):最高为 100nA,表明该器件在关断状态时的泄漏电流极低,提升了应用电路的能效。
  • 直流电流增益 (hFE):在1mA和6V下,最小值为120,满足大多数线性放大应用的增益要求。
  • 功率输出:最大功率为150mW,适合用于中低功率的电路设计。
  • 频率特性:跃迁频率达到180MHz,适合高频应用,可以用于高速开关和信号放大。
  • 工作温度:可在150°C(TJ)环境下稳定运行,适应极端条件的要求。

封装与安装设计

UMY1NTR 的封装类型为表面贴装(SMD),提供了额外的空间利用灵活性,封装规格为UMT5、SC-70-5和SOT-353,适合各种嵌入式设备和微型电子产品的布局。其小巧的外形保证了在空间受限情况下的轻松集成,同时也提升了设备的便携性。

应用领域

UMY1NTR 可广泛应用于:

  • 消费电子:适用于智能手机、平板电脑、便携式音响及其他手持设备。
  • 汽车电子:在汽车控制单元、传感器及高频信号处理模块中表现优异。
  • 工业控制:用于电机驱动、开关电源和工业自动化设备,提供可靠的性能。
  • 通信设备:由于其高频特性,适合于无线通信和数据传输设备。
  • 医疗设备:在医疗监测设备和便携式仪器中提供精确的信号放大。

设计优势

选择 UMY1NTR 的一大优势是在不牺牲性能的情况下,能够有效降低功耗,延长设备的寿命。此外,凭借其可承受的工作温度范围和极低的电子噪声,能够确保在极端条件下依然保持稳定的性能,为高可靠性设计提供保障。

UMY1NTR 的全功能特性和灵活的应用使其成为现代电路设计的理想选择。无论是在高频信号处理、线性放大,还是中低功率的开关应用,UMY1NTR 都能满足技术和经济的双重要求。

总体而言,作为一款小型化且高效率的三极管,UMY1NTR 完全符合当今电子产品对于高性能、高集成度的迫切需求,理应成为每位设计工程师的优选组件。