晶体管类型 | NPN,PNP(耦合发射器) | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 150mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 400mV @ 5mA,50mA / 500mV @ 5mA,50mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 120 @ 1mA,6V |
功率 - 最大值 | 150mW | 频率 - 跃迁 | 180MHz,140MHz |
工作温度 | 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353 | 供应商器件封装 | UMT5 |
UMY1NTR 是一款高度集成的 NPN/PNP 战略晶体管,专为满足现代电子电路设计的高效能和紧凑型要求而研发。作为罗姆(ROHM)公司推出的优质元器件之一,UMY1NTR 的设计充分考虑了多种应用场景的需求,旨在为工程师和设计人员提供卓越的性能和灵活性。
UMY1NTR 属于三极管(BJT)系列,其关键参数如下:
UMY1NTR 的封装类型为表面贴装(SMD),提供了额外的空间利用灵活性,封装规格为UMT5、SC-70-5和SOT-353,适合各种嵌入式设备和微型电子产品的布局。其小巧的外形保证了在空间受限情况下的轻松集成,同时也提升了设备的便携性。
UMY1NTR 可广泛应用于:
选择 UMY1NTR 的一大优势是在不牺牲性能的情况下,能够有效降低功耗,延长设备的寿命。此外,凭借其可承受的工作温度范围和极低的电子噪声,能够确保在极端条件下依然保持稳定的性能,为高可靠性设计提供保障。
UMY1NTR 的全功能特性和灵活的应用使其成为现代电路设计的理想选择。无论是在高频信号处理、线性放大,还是中低功率的开关应用,UMY1NTR 都能满足技术和经济的双重要求。
总体而言,作为一款小型化且高效率的三极管,UMY1NTR 完全符合当今电子产品对于高性能、高集成度的迫切需求,理应成为每位设计工程师的优选组件。