BZX84B12-7-F
BZX84B12-7-F参数
| 电压 - 齐纳（标称值）(Vz) | 12V | 容差 | ±2% |
| 功率 - 最大值 | 300mW | 阻抗（最大值）(Zzt) | 25 Ohms |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 100nA @ 8V | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 900mV @ 10mA |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23 |
BZX84B12-7-F手册
BZX84B12-7-F概述
BZX84B12-7-F 产品概述
引言
BZX84B12-7-F 是一款由美台（DIODES）公司生产的稳压二极管，封装形式为 SOT-23，主要用于提供稳定的电压参考。其标称电压为 12V，适用于各种电子电路中，尤其是在需要对电压进行稳定控制和保护的应用场合。该器件具备较好的电气特性和可靠性，适合广泛的工业和消费类市场。
性能参数
齐纳电压（Vz）： BZX84B12-7-F 的标称齐纳电压为 12V，正常工作电压范围在 11.8V 到 12.2V 之间。这意味着在此电压范围内，二极管可以有效地稳定输出电压，抵御电压波动。
容差： 该产品的电压容差为 ±2%。这一点在设计电路时显得尤为重要，能够帮助设计师准确评估其适用性，并进行适当的电压调整。
功率和阻抗： BZX84B12-7-F 的最大功率为 300mW，最大动态阻抗（Zzt）为 25 Ohms。这些参数保证了该器件在激烈的环境下仍然能够保持正常工作的稳定性，同时确保了在负载变动时的良好反应能力。
反向泄漏电流： 在 8V 的偏置下，反向泄漏电流仅为 100nA，这显示了该器件的优良特性，能够在保持低功耗的同时，有效减少漏电现象，保护电路的完整性。
正向电压（Vf）： 在 10mA 的正向电流下，BZX84B12-7-F 的正向电压 Vf 约为 900mV，这对于整流或作为保护二极管的应用是一个重要参数。
工作温度范围： 该器件的工作温度范围为 -65°C 到 150°C，强大的温度适应性使其能够在苛刻环境下稳定工作，广泛应用于汽车、工业控制和其他高温环境下的电子设备。
封装与安装
BZX84B12-7-F 采用 SOT-23 表面贴装型封装，这种小巧而紧凑的设计使得其在电路板上占用更少的空间，适合现代电子产品对小型化和高集成度的需求。SOT-23 封装也便于自动化生产，降低了制造成本并提高了生产效率。
应用场合
BZX84B12-7-F 可广泛用于各种电子电路和系统，包括：
- 电源管理：作为稳压参考，保证电源电压的稳定性。
- 过压保护：在电路中保护敏感元件免受高电压冲击。
- 信号调理：在信号线中滤波，保证信号的清晰传输。
- 消费电子：例如，无线充电器、手持设备和其他移动应用，确保电路的稳定性能。
总结
BZX84B12-7-F 是一款高性能、可靠的稳压二极管，具备优异的电压稳定性和低功耗特性，使其成为各种电子应用中的理想选择。其宽温范围和小巧的 SOT-23 封装，加上优秀的电气性能，使其在现代电子产品设计中占有一席之地。设计师可以利用该器件的特性，提升电路的性能和稳定性，确保产品在各种环境下的可靠运行。