1N4001G-T 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

1N4001G-T

商品编码: BM0107672800
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
DO-41
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
二极管-标准-50V-1A-通孔-DO-41
库存 :
3213(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.31
按整 :
圆盘(1圆盘有5000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.31
--
500+
¥0.206
--
2500+
¥0.18
--
5000+
¥0.16
--
50000+
产品参数
产品手册
产品概述

1N4001G-T参数

安装类型通孔不同 Vr、F 时电容8pF @ 4V,1MHz
二极管类型标准速度标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
电流 - 平均整流 (Io)1A不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1V @ 1A
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)50V工作温度 - 结-65°C ~ 175°C
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏5µA @ 50V反向恢复时间 (trr)2µs

1N4001G-T手册

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1N4001G-T概述

1N4001G-T 产品概述

一、产品简介

1N4001G-T是一款标准硅整流二极管,广泛应用于电源变换、电源整流、负载驱动等领域。此元器件由DIODES(美台)公司生产,封装类型为DO-41,适合于通孔安装,能够适应各种电路板的布局和设计要求。凭借其良好的性能及稳定性,1N4001G-T在众多电子应用中被广泛使用。

二、技术参数

  1. 电流和电压特性

    • 最大正向电流 (Io): 1A。这使得该二极管能够承载至少1A的平均整流电流,适合多种低至中功率应用。
    • 正向电压 (Vf): 1V @ 1A。在1A的正向电流下,1N4001G-T的正向压降为1V,确保在电路中功耗较低。
    • 反向电压 (Vr): 最大50V。这一特性使得该二极管可承受较高的电压,适用于多种电压环境。
  2. 频率和恢复特性

    • 反向恢复时间 (trr): 2µs。这一参数表明该二极管具备良好的切换特性,适合于应对快速变换的电流模式。
    • 不同 Vr 时的反向泄漏电流: 5µA @ 50V。在50V的逆向偏置电压下,反向泄漏电流仅为5µA,这表明其具备较好的绝缘性能。
  3. 电容量特性

    • 不同 Vr、F 时电容: 8pF @ 4V, 1MHz. 这一电容特性使得1N4001G-T在高频应用中依然能够保持良好的工作稳定性。
  4. 工作温度范围

    • 结温范围: -65°C ~ 175°C。这样的工作温度范围使得它在恶劣环境下仍能保持稳定的性能表现,不论是在极低还是极高的温度条件下,均符合要求。

三、应用领域

  1. 电源电路: 1N4001G-T经常用于整流电路中,将交流电转换为直流电,特别适合低压、低频率的整流任务,广泛应用于室内及交通设施的电源适配器中。

  2. 电机驱动: 在电机驱动电路中作为保护二极管使用,防止反向电流对电源供电系统造成损害。

  3. 开关电源: 在开关电源中用作整流元器件,能够有效将开关信号转换为稳定的直流电。

  4. 充电器: 适合于电池充电器中,用于保护电路并整流。

四、产品优势

  1. 高可靠性: 该二极管具备较高的结温范围以及低反向泄漏电流,能够在多种电气环境中可靠工作。

  2. 标准化封装: 采用DO-41封装,便于大规模批量生产,支持多种自动化焊接方式,提升了工业应用的效率。

  3. 适应性广: 适合多种电气用途,特别是在家用电器、商业设备以及工业机器中表现出色。

五、总结

总体来说,1N4001G-T作为一款标准硅整流二极管,以其优秀的电气特性、广泛的应用范围和高可靠性的特点,成为了许多电子设计不可或缺的组成部分。无论是在日常家电,还是工业应用,1N4001G-T都能为用户提供理想的整流解决方案。如果您在寻求一款稳定且性能良好的标准整流二极管,1N4001G-T绝对是一个值得考虑的选择。