类型 | 齐纳 | 单向通道 | 2 |
电压 - 反向断态(典型值) | 5V | 电压 - 击穿(最小值) | 6.1V |
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值) | 12.5V | 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 2A(8/20µs) |
功率 - 峰值脉冲 | 25W | 电源线路保护 | 无 |
应用 | 通用 | 不同频率时电容 | 9pF @ 1MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 3-UFDFN | 供应商器件封装 | X1-DFN1006-3 |
T5V0DLP-7B是一款由美台半导体(DIODES)生产的TVS(瞬态电压抑制)二极管,采用了先进的表面贴装型封装(3-UFDFN)。其设计旨在为电子设备提供有效的过压保护,确保在瞬态电压事件发生时,能够迅速响应以保护敏感电子元件免受损害。凭借其出色的电气特性和宽广的工作温度范围,T5V0DLP-7B广泛应用于各种通用电子应用场景中。
高效的瞬态抑制能力:T5V0DLP-7B能够在瞬态电压事件(例如静电放电和电压浪涌)发生时迅速反应,将过电压限制在安全范围内,保护设备不受损害。其击穿电压设计为6.1V的最小值,使其在电流需求较大的电路中依然保持优越的性能。
小型化封装:3-UFDFN封装设计使得该器件适合现代电子设备的小型化需求,能够有效节省PCB空间,对于高密度集成电路尤为重要。
广泛的工作温度范围:其工作温度范围从-55°C至150°C,使得T5V0DLP-7B可以在多种严苛环境中稳定工作,适用于工业、汽车及消费电子等多个行业。
低电容特性:在1MHz频率下,仅有9pF的电容值意味着在高频应用中,T5V0DLP-7B的插入损耗较低,保持良好的信号传输性能,适用于通讯和数据传输设备。
高脉冲电流处理能力:能够承受高达2A的峰值脉冲电流,确保在复杂的电路环境下,依然可以高效稳定地运行。
T5V0DLP-7B广泛应用于需要过压保护的场合。例如:
T5V0DLP-7B是一款高性能、应用广泛的TVS二极管,凭借其优异的电气特性和可靠的过压保护能力,成为现代电子设计中不可或缺的保护元件。其小巧的封装和广泛的工作温度范围,使其特别适合当今市场对高性能与空间效率的双重要求。通过在各种电子产品中使用,确保产品的长期稳定性与安全性。