DESD3V3E1BL-7B

DESD3V3E1BL-7B 产品概述

概述

DESD3V3E1BL-7B是一款由DIODES（美台）公司生产的高性能瞬态抑制二极管（TVS），其主要功能是保护敏感电子设备免受电压瞬态（如静电放电和浪涌电压）的影响。这款元器件具有小型化的0402（1006公制）表面贴装封装，适用于空间受限的应用场合。

基础参数

• 类型: 齐纳二极管
• 双向通道: 1
• 反向断态电压（V_R）： 3.3V（典型值），3.8V（最小值）
• 击穿电压: 3.8V（最小值）
• 电压－箝位（V_C）: 7V（最大值），根据不同的脉冲电流（Ipp）变化
• 峰值脉冲电流: 5A（10/1000µs脉冲宽度，8/20µs），用于快速反应瞬态电压
• 功率 - 峰值脉冲: 35W，指可承受的瞬态功率
• 不同频率下电容: 13pF @ 1MHz
• 工作温度范围: -65°C ~ 150°C（绝对最高结温）
• 安装类型: 表面贴装型
• 封装/外壳类型: X1-DFN1006-2

应用领域

DESD3V3E1BL-7B广泛适用于各种电子设备的电源和信号线保护，尤其在以下应用场合表现优秀：

• 消费电子: 手机、平板电脑、可穿戴设备及其他个人电子产品。
• 通信设备: 网络交换机、路由器中用于过压保护，确保设备的稳定运行。
• 工业设备: 各类自动化设备，帮助降低因电压瞬态引起的故障风险。
• 汽车电子: 汽车通信系统和其他电子控制模块，确保在恶劣环境下的稳定性。

性能特点

1. 高击穿电压: DESD3V3E1BL-7B的击穿电压为3.8V，意味着它能够在高达3.3V的正常操作范围内有效保护，防止过压情况产生。

2. 快速响应时间: 该产品可承受高达5A的峰值脉冲电流，具有极快的响应时间，确保在发生瞬态事件时能够快速实现电压的钳位。

3. 宽工作温度范围: 合理的工作温度范围使其非常适合严苛的环境条件，同时延长了产品的使用寿命。

4. 小型化封装: X1-DFN1006-2封装适合高密度的电路板设计，在节省空间的同时提供所需的保护性能。

5. 低电容特性: 具有13pF的低电容特性，允许高频信号的传输，适合对信号完整性要求较高的应用。

总结

DESD3V3E1BL-7B是一款先进的瞬态抑制二极管，凭借其优越的击穿电压、快速的响应时间和小型化设计，不仅能够在众多应用场合中保护电子设备的稳定运行，还可以优化空间和成本，是现代电子设计中不可或缺的重要元件。在当前电子产品日趋复杂的环境中，选择适合的保护器件尤为重要，而DESD3V3E1BL-7B则为设计师们提供了一种高效且可靠的解决方案。