DDTC115TCA-7-F 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DDTC115TCA-7-F

商品编码: BM0107672749
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT23
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
数字晶体管 200mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置 SOT-23
库存 :
2850(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.786
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.786
--
200+
¥0.262
--
1500+
¥0.164
--
3000+
¥0.113
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

DDTC115TCA-7-F参数

晶体管类型NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V电阻器 - 基极 (R1)100 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 1mA,5V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 100µA,1mA
电流 - 集电极截止(最大值)500nA(ICBO)频率 - 跃迁250MHz
功率 - 最大值200mW安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装SOT-23-3

DDTC115TCA-7-F手册

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DDTC115TCA-7-F概述

产品概述:DDTC115TCA-7-F

1. 概述

DDTC115TCA-7-F 是由知名品牌 DIODES(美台)生产的一种 NPN 数字晶体管,采用 SOT-23 封装,广泛应用于各种电子电路设计中。作为一款高效能的晶体管,DDTC115TCA-7-F 具备优良的电流放大性能和响应速度,是现代数字和模拟电路中不可或缺的基础元件。

2. 核心参数

  • 晶体管类型: NPN - 预偏压。这种类型的晶体管适合用于多种开关和放大应用。
  • 最大集电极电流 (Ic): 100mA。该特点使得晶体管能够在较高的电流下稳定工作,适合驱动各种负载。
  • 最大集射极击穿电压 (Vce): 50V。高击穿电压使得晶体管在高电压应用中依旧能够保证稳定运行。
  • 基极电阻 (R1): 100 kOhms,这在一定程度上提高了电路的灵活性和稳定性。

3. 电流增益与饱和压降

  • DC 电流增益 (hFE): 在 1mA 的集电极电流下,电流增益最低为 100,使得其在低功率驱动的情境中表现出色。
  • 集电极饱和压降 (Vce(sat)): 在 100µA 下最大值为 300mV,表明在饱和状态下,晶体管将有效降低功耗,这对于新型低功耗电路尤为重要。

4. 其他电气特性

  • 集电极截止电流 (ICBO): 最大 500nA。该参数反映了器件的漏电流特性,在低功耗应用中,低漏电流可帮助提升整体电路的能效。
  • 跃迁频率: 高达 250MHz,保证了该元件在高频应用中的可靠性和稳定性。

5. 功率与封装

  • 最大功率: 200mW,适合用于日常电子设计中的小型功率应用。
  • 安装类型: 表面贴装型 (SMD),该封装类型使得 DDTC115TCA-7-F 易于集成到电路板设计中,有助于实现高密度布局。

6. 应用领域

DDTC115TCA-7-F 的广泛适用性使其成为许多应用中的理想选择,例如:

  • 开关电源: 可用于高效能的电源转换电路中,提升电源设计的稳定性和效率。
  • 信号放大器: 在无线通信、音频处理及其他信号处理应用中,能够提供充分的增益。
  • 开关应用: 由于其快速的开关响应能力,特别适合用于逻辑电路和LED驱动等场合。

7. 总结

作为一款功能强大的数字晶体管,DDTC115TCA-7-F 以其优越的电气性能和紧凑的封装设计,使其在当今电子设备中大放异彩。其高频响应、低功耗及较高的电流放大能力,使其非常适合用于各种现代电子设计中的核心组件。设计师们在进行电路设计时,选择 DDTC115TCA-7-F 将为其产品的性能提供坚实的基础,推动技术的创新与进步。