晶体管类型 | NPN - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 2.2 kOhms |
电阻器 - 发射极 (R2) | 10 kOhms | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 33 @ 10mA,5V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 500µA,10mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA |
频率 - 跃迁 | 250MHz | 功率 - 最大值 | 200mW |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | SOT-23-3 |
产品简介: DDTC123YCA-7-F 是由著名半导体制造商 DIODES(美台)旗下推出的一款高性能 NPN 预偏置数字晶体管。该晶体管采用 SOT-23-3 封装,吸收了现代电子设计对小型化、高效能和可靠性的需求,广泛适用于各种数字和模拟电路中。
基本参数: DDTC123YCA-7-F 具有优异的电气特性,其集电极电流 (Ic) 的最大值为 100mA,集射极击穿电压 (Vce) 的最大值为 50V。这使得该器件适合用于功率并不极端的应用场合,能够在一定的电压和电流范围内稳定工作。器件在设计时考虑到了电源管理和电路驱动的需求,具备了基础的电流放大功能。
电流增益与频率: DDTC123YCA-7-F 在某些特定条件下(例如 Ic = 10mA,Vce = 5V)表现出较高的直流电流增益 (hFE),最小值达到 33。这意味着在适当的偏置下,它可以实现高效的信号放大。此外,该晶体管具有高达 250MHz 的频率响应,适用于高速信号处理和开关应用,提升了其在高频电子设计中的适用性。
效率与功耗: 本产品的最大功率为 200mW,这一参数使得 DDTC123YCA-7-F 在多种低功耗电子产品中都能有效运作。鉴于功耗的控制在电子设备中越来越受到重视,该器件在保持较低功耗的同时能够提供充足的驱动能力是其一大优点。在需要高效散热管理的环境中,该器件所支撑的 500nA 的集电极截止电流使得其在待机状态下的功耗几乎可以忽略不计。
电压饱和与基极电阻配置: 在电流控制方面,DDTC123YCA-7-F 的 Vce 饱和压降在 Ic = 10mA 和 Ib = 500μA 时的最大值为 300mV,这使得信号的控制更加高效。为了确保 NPN 晶体管的稳定工作,通常需要在基极配置电阻器。该器件建议使用2.2 kΩ 的基极电阻器 (R1) 和10 kΩ 的发射极电阻器 (R2)(能依具体应用灵活调整),以优化电路的偏置条件和稳定性,避免不必要的功耗和发热。
安装与应用场景: DDTC123YCA-7-F 采用表面贴装型 (SMD) 的设计,封装为 SOT-23,适合现代电子设备的高密度组装需求,简化了自动化装配过程。其多样化的应用场景包括但不限于:开关电源、信号放大器、电平转换以及在各种便携式设备中的低功耗功率控制等。
结论: 总的来说,DDTC123YCA-7-F 是一款集成了高效能、低功耗、高集成度及良好频率特性的 NPN 预偏置晶体管,非常适合现代电子电路中对高效和小型化的要求。无论是在数字电路、模拟电路还是复杂的无线通信系统中,该元器件都能达到良好的性能标准,为设计人员提供了极大的灵活性和选择。选择 DDTC123YCA-7-F,您将为您的电子项目赋予强大的动力与可靠的性能支持。