DDTC113ZUA-7-F
DDTC113ZUA-7-F参数
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 1 kOhms |
| 电阻器 - 发射极 (R2) | 10 kOhms | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 33 @ 5mA，5V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 300mV @ 500µA，10mA | 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA |
| 频率 - 跃迁 | 250MHz | 功率 - 最大值 | 200mW |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
DDTC113ZUA-7-F手册
DDTC113ZUA-7-F概述
产品概述：DDTC113ZUA-7-F
引言
DDTC113ZUA-7-F 是一款高性能的数字晶体管，采用 NPN 类型，预偏压设计，特别适合在低功耗数字电路中使用。其设计系列旨在提供高转速和紧凑尺寸，满足现代电子设备日益复杂的需求。采用 SOT-323 封装，使其在空间有限的应用场合中更具优势。
主要特点
电流与电压规格
- 集电极电流（Ic）: 本产品的最大集电极电流为 100mA，这使其能够有效驱动多种负载，适用于小功率放大器和开关电路等场合。
- 集射极击穿电压（Vce）: 最大击穿电压为 50V，能够承受高电压情况，为设计提供了一定的安全余地。
直流电流增益（hFE）
在多种工作条件下，DDTC113ZUA-7-F 的 DC 电流增益表现良好，至少达到 33 @ 5mA，5V。这个增益水平意味着该元器件能够有效提升基极输入信号至较大的集电极输出电流。饱和压降
在工作条件下，Vce 饱和压降最大为 300mV @ 500µA，10mA，显示出其在需要低压降的开关应用中的出色性能。这一特性有助于提高电源效率，减少热损失。截止电流及频率特性
集电极截止电流最大为 500nA，这意味着在关断状态下，电流消耗极低，有利于节能设计。频率跃迁高达 250MHz，能够满足高频操作要求，使它在信号放大和开关应用中均具有良好的表现。
应用领域
DDTC113ZUA-7-F 的高度集成性和出色电气性能使其适合广泛的应用场合，包括但不限于：
- 移动设备: 由于其小巧的 SOT-323 封装尺寸，非常适合智能手机、平板电脑等便携式设备中使用。
- 计算机周边设备: 很多外设需要数字信号的处理，DDTC113ZUA-7-F 可以有效执行信号放大和开关控制。
- 消费电子: 电视、音响及其他家电中，用于增强信号或控制开关的操作。
- 车载电子: 提高车载电子设备的性能和可靠性，适合用于传感器及控制电路。
典型电路配置
DDTC113ZUA-7-F 的典型电路配置包括使用基极电阻（R1 = 1 kΩ）和发射极电阻（R2 = 10 kΩ），通过这些电阻的选择可以有效控制基极电流与增益，使其在不同工作状态下均能表现优异。同时，该电路的设计使得元件在整个工作范围内保持稳定。
封装与安装
DDTC113ZUA-7-F 采用表面贴装型 SOT-323 封装，便于自动化生产流程中的安装，减少了封装占用的空间，使其成为高密度设计的理想选择。这种封装类型也有助于提高电路的整体散热性能。
制造商与可靠性
该产品由 DIODES（美台）公司生产，作为知名的半导体解决方案提供商，DIODES 确保所有产品都经过严格的质量控制，具备一定的可靠性和稳定性。这为使用该器件的设计师和工程师提供了信心。
总结
DDTC113ZUA-7-F 是一款集成了多种电气特性的小型 NPN 预偏压数字晶体管，广泛适用在各种电子应用中。凭借其优越的性能、紧凑的封装及高频特性，它成为了电子设计中一个不可或缺的组件。无论是在设计低功耗电路、信号处理，还是在需要集中控制的应用中，DDTC113ZUA-7-F 都能为设计师提供丰富的解决方案和灵活性。