DDTC113TE-7-F

产品概述：DDTC113TE-7-F

基本信息

制造商： Diodes Incorporated
封装类型： SOT-523
包装形式： 卷带（TR）
零件状态： 有源
基本产品编号： DDTC113

产品描述

DDTC113TE-7-F是一款高性能的数字晶体管，特别设计用于满足现代电子应用中对小型化、高效率和高频率性能的需求。该器件采用NPN预偏置结构，并在SOT-523封装中提供，适合表面贴装（SMT）技术，广泛应用于各种数字电子产品，如信号放大器、开关电路以及用于开关调制的高频应用。

关键参数

• 电流—集电极截止（ICBO）最大值： 500nA
  这一参数保证器件在关断状态下的低漏电流，确保了在实际应用中的低功耗特性。

• 集电极电流（Ic）最大值： 100mA
  这使得DDTC113TE-7-F能够处理较高的负载电流，适合驱动小型负载。

• 电压—集射极击穿（Vce max）： 50V
  该特性为器件提供了良好的耐压性能，使其能够在多种工作环境中安全运行。

• 功率—最大值： 150mW
  最大功耗限制为150毫瓦，表明该晶体管在高频和小型系统中的应用能力。

• DC电流增益（hFE）： 最小值100 @ 1mA，5V
  提供了良好的增益性能，使得该器件在信号放大应用中具有优越的表现。

• Vce饱和压降（最大值）： 300mV @ 1mA, 10mA
  低饱和压降保证了在开关状态下的高效率，能够减少功耗。

• 频率—跃迁： 250MHz
  频宽性能使得DDTC113TE-7-F能够在高频率信号处理应用中发挥其优势，特别是数字信号的快速开关。

应用场景

DDTC113TE-7-F适用于多种应用场合，包括但不限于：

1. 信号放大器：其高增益和宽频带特性使其适合用于RF放大、音频放大等应用。
2. 开关电路：其能够耐受较高电流与电压的特性，非常适合于驱动继电器、小型电机及其他负载的开关应用。
3. 数字逻辑电路：得益于其低功耗和快速响应，适用于现代的数字逻辑电路中，如微控制器和其他数字信号处理器。
4. 自动化和控制系统：在需要高效反馈和控制的应用场合，DDTC113TE-7-F能够提供稳定的开关控制功能。

结论

DDTC113TE-7-F是一款灵活且高效的数字晶体管，凭借其卓越的性能参数，适合各种现代电子应用。其小巧的SOT-523封装，加之高频率响应、低功耗与高耐压特性，使其成为各种数字电路设计中理想的选择。 无论是在信号处理、开关控制还是其他电力管理任务中，DDTC113TE-7-F都能提供可靠的性能和出色的功能，是现代电子产品中不可或缺的基础元件之一。