晶体管类型 | PNP | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 500mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 80V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 250mV @ 10mA,100mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 100mA,1V |
功率 - 最大值 | 200mW | 频率 - 跃迁 | 50MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SC-70,SOT-323 | 供应商器件封装 | SOT-323 |
MMSTA56Q-7-F 是一款高性能的 PNP 类型普通双极型晶体管(BJT),由 DIODES(美台) 供应,采用 SOT-323 封装,专为面向表面贴装类型的应用而设计。该元器件具有卓越的电流和电压特性,适合各种电子电路和系统中的信号放大与开关应用。下面将从多个方面详细介绍该产品的特点及应用场景。
MMSTA56Q-7-F 的主要电气特性包括:
MMSTA56Q-7-F 的工作温度范围为 -55°C 到 150°C,这使得它在极端温度条件下仍能够稳定工作,适用于汽车电子、工业控制以及恶劣环境下的应用。
该晶体管采用 SOT-323 封装,属于表面贴装型器件,具有小巧、轻便的特性,适合空间有限的现代电子设备。SOT-323 封装使得集成密度较高,适合大规模生产和自动化贴装过程。
MMSTA56Q-7-F 可广泛应用于以下领域:
作为一款多用途的 PNP 晶体管,MMSTA56Q-7-F 凭借其优良的电气性能和广泛的应用适应性,成为现代电子设计中不可或缺的重要元器件。无论是在消费电子、汽车电子,还是在工业自动化领域,该器件均能提供可靠的性能支持。DIODES(美台) 的良好品牌声誉和品质保证,使得 MMSTA56Q-7-F 在市场中具有竞争力,是设计师和制造商在选择高性能晶体管时的优选之一。