类型 | 齐纳 | 双向通道 | 1 |
电压 - 反向断态(典型值) | 12V(最大) | 电压 - 击穿(最小值) | 15V |
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值) | 33.5V | 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 9A(8/20µs) |
功率 - 峰值脉冲 | 300W | 电源线路保护 | 无 |
应用 | 汽车级 | 不同频率时电容 | 20pF @ 1MHz |
工作温度 | -65°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 0402(1006 公制) | 供应商器件封装 | X1-DFN1006-2 |
DESD12V0S1BL-7B 是 DIODES(美台)公司推出的一款高性能瞬态抑制二极管,专为汽车电子应用设计。该器件采用表面贴装型封装X1-DFN1006-2,适用于需要有效保护电路免受瞬态过电压(例如静电放电和雷击)的环境。其关键参数使其成为车辆电子、工业控制和其他高要求应用的理想选择。
DESD12V0S1BL-7B 是专为汽车级应用而设计,特别适合用于汽车电子系统,如电池管理系统、车载计算机、传感器接口和其他需要过电压保护的电路。同时,其经典的瞬态抑制功能可广泛应用于工业设备、消费电子产品及通信设备等领域,用于防止由电源波动、雷击或其他过电压现象引起的电路损坏。
DESD12V0S1BL-7B 瞬态抑制二极管的设计目标是为各种电子系统提供高效的保护,同时兼顾小尺寸和广泛的工作环境适配能力。无论是在汽车领域还是工业应用中,该器件都通过其出色的电压控制和承受能力,为设计人员提供了高效、可靠的解决方案。其卓越的性能和高品质使其成为众多设计应用中的优选元件。