类型 | 齐纳 | 双向通道 | 1 |
电压 - 反向断态(典型值) | 3.3V(最大) | 电压 - 击穿(最小值) | 3.8V |
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值) | 8V | 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 12A(8/20µs) |
功率 - 峰值脉冲 | 96W | 电源线路保护 | 无 |
应用 | 通用 | 不同频率时电容 | 28pF @ 1MHz |
工作温度 | -65°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 0201(0603 公制) | 供应商器件封装 | X3-DFN0603-2 |
D3V3L1B2LP3-7是一款由DIODES(美台)公司设计和制造的高性能双向齐纳瞬态电压抑制器(TVS二极管)。该产品广泛应用于电源线路、信号线路以及通信设备等领域,以保护电子器件免受电压瞬变所引起的破坏性损伤。凭借其显著的反向电压保护特性及较高的脉冲承受能力,D3V3L1B2LP3-7能够有效提升电路的可靠性和耐用性。
基本参数
频率和电容特性
工作环境
D3V3L1B2LP3-7的设计初衷是为了保护各种电子设备,尤其是在高度敏感的应用中,其优秀的脉冲承受能力和极低的电容值,使其非常适合高速数据传输和低功耗电路设计。以下是该产品的主要应用场景:
D3V3L1B2LP3-7是一款出色的TVS二极管,凭借强大的性能指标、广泛的应用适用性以及显著的耐用性,成为电子设计领域保护电路的理想选择。无论是在创新的消费电子产品中,还是在复杂的工业系统中,D3V3L1B2LP3-7都能够为设计师提供高性能的电压保护,确保产品在各种环境下的稳定运行。